雙向可控硅觸發電路圖-六款雙向可控硅觸發電路

雙向可控硅觸發電路圖一：

為了提高效率，使觸發脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發脈沖，且觸發脈沖電壓應大于4V，脈沖寬度應大于20us.圖中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通，產生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然后發出雙向可控硅的同步觸發信號。過零檢測電路A、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。

雙向可控硅觸發電路圖二：

電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅動器，也屬于光電耦合器的一種，用來驅動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用，R6為觸發限流電阻，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發，提高抗干擾能力。當單片機80C51的P1.0引腳輸出負脈沖信號時T2導通，MOC3061導通，觸發BCR導通，接通交流負載。另外，若雙向可控硅接感性交流負載時，由于電源電壓超前負載電流一個相位角，因此，當負載電流為零時，電源電壓為反向電壓，加上感性負載自感電動勢el作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠遠超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向導通，但容易擊穿，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯一個RC阻容吸收電路，實現雙向可控硅過電壓保護，圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路。

雙向可控硅觸發電路圖三：

此時無論是打開開關、和關閉開關（驅動MOC306或者不驅動MOC3061）可控硅都是導通的，即不能關閉可控硅，百般糾結和查看資料后才發現G極和T1之間的關系，安照這個電路接的話，不管J3開路時，G極的電壓等于T2的電壓，當交流電流過雙向可控硅時，G極與T1之間總存在一個電壓差，即T1與T2之間的電壓差，這個電壓差就導通了可控硅，所以雙向可控硅雖然沒有正、負極的區別，卻有T1、T2的區別。

雙向可控硅觸發電路圖四：

如下圖所示，當電網電壓小于220V時，雙向可控硅SCR2控制極上的電壓也隨電網電壓減小而降低，致使VD2導通角小，C1端電壓上升，從而使雙向可控硅SCRl控制極電壓升高，使輸出電壓上升。反之，輸出電壓下降，達到穩壓。

雙向可控硅觸發電路圖五：

所示，左側為兩個30K/2W的電阻，這樣限制輸入電流為：220V/60K=3.67mA，由于該路僅僅是為了提取交流信號，因此小電流輸入即可。整流橋芯片采用小功率（2W）的KBP210，之后接入一個光耦（P521），這樣如圖1整流后信號電壓值超過光耦前段二極管的導通電壓時，即產生一次脈沖，光耦右側為一上拉電路，VCC為單片機供電電壓：+3.3V。光耦三極管導通時，輸出低電平，關閉時輸出高電平。

雙向可控硅觸發電路圖六：

VDI、VD2、Cl與C2組成簡單的電容降壓半被整流電源，通電后C2兩端能獲得約12V左右的直流電壓供光控電路用電。VT、VD3、R2、R3與RP構成光控電路，白天光敏二極管VD3受光照射呈低電阻，VT基極電位下降，所以VT截止，可控硅vs得不到觸發電壓而處于關斷狀態，燈H不亮。夜間，VD3無光線照射呈高電阻，VT的基極電位上升，VT導通，就向vs注入正向觸發電流，故vs立即開通，燈H全壓點亮。調節電位器RP能調節三極管VT的基極電位，從而能對光控靈敏度進行調整。

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