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        SVF2N60D場效應(yīng)管參數(shù) 中文資料 SVF2N60D規(guī)格書下載 MOS管廠家

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-11-23 瀏覽:-

        SVF2N60D場效應(yīng)管參數(shù) 代換 規(guī)格書資料下載 - MOS管廠家 - 壹芯微

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        SVF2N60D

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        SVF2N60D場效應(yīng)管主要參數(shù)如下:

        參數(shù)符號(hào)單位
        漏極-源極電壓VDSS600V
        柵極-源極電壓VGSS±30V
        單脈沖雪崩電流IAR-A
        柵極-源極電壓ID2.0A
        漏極電流-脈沖IDM8.0A
        單脈沖雪崩能量EAS115mJ
        重復(fù)雪崩能量EAR-mJ
        二極管恢復(fù)峰值dv/dt5.5V/ns
        功耗,(TC = 25°C)PD34W
        工作結(jié)溫范圍TJ-55~150 °С
        貯存溫度范圍TSTG-55~150 °С

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        地 址/Address

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        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
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