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        SOT-363封裝開關(guān)二極管參數(shù)與性能之讓電路設(shè)計(jì)更具靈活性

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2020-05-28 瀏覽:-

        SOT-363封裝開關(guān)二極管參數(shù)與性能之讓電路設(shè)計(jì)更具靈活性

        能快速進(jìn)行切換,具有很短的反向恢復(fù)時(shí)間(Trr)是我們對(duì)開關(guān)二極管(Switching Diode)的基本要求。在最新的開關(guān)電路、限幅電路、檢波電路中,不僅對(duì)開關(guān)二極管性能要求越來越高,就連外形也不再使用傳統(tǒng)的DO封裝,而是采用SOT-23、SOT-363等與三極管一樣的封裝。

        開關(guān)二極管參數(shù)

        SOT-363開關(guān)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

        一些流行的做法是按照一定的邏輯,將多只二極管封裝在一個(gè)殼體內(nèi),讓用戶的電路設(shè)計(jì)更具靈活性。

        下面是一些典型SOT-363開關(guān)二極管參數(shù):

        型號(hào):MMBD4448HAQW/HADW/HCDW/HSDW/HTW

        非重復(fù)反向峰值電壓:Vrm=100V

        可重復(fù)反向峰值電壓:Vrrm=80V

        反向峰值工作電壓:Vrwm=80V

        直流阻斷電壓:Vr=80V

        RMS反向電壓:Vr(rms)=57V

        正向連續(xù)電流:Ifm=500mA

        平均輸出電流:Io=250mA

        非重復(fù)峰值正向突波電流:Ifsm=2.0A(@t=8.3ms)

        功耗:Pd=200mA

        熱阻(結(jié)溫到室溫):Roja=625W/℃

        存儲(chǔ)溫度:Tstg為-55~+150℃

        開關(guān)二極管參數(shù)

        SOT-363卷盤包裝開關(guān)二極管性能

        MMBD4448開關(guān)二極管正向壓降為0.62-0.72V,反向擊穿電壓V(br)大于80V,零偏壓電容Cr小于3.5pF,反向恢復(fù)時(shí)間Trr不超過4ns。

        MMBD4448開關(guān)二極管采用SOT-363卷盤包裝,每卷裝載3000個(gè)元件??偟膩碚f,MMBD4448開關(guān)二極管具有開關(guān)速度快,功耗低和超小封裝特點(diǎn),適合通用的開關(guān)和電源應(yīng)用。

        壹芯微科技針對(duì)二三極管,MOS管作出了良好的性能測(cè)試,應(yīng)用各大領(lǐng)域,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹

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