場(chǎng)效應(yīng)晶體管的英文簡稱為FET，中文簡稱為場(chǎng)效應(yīng)管或者單極型晶體管。它是由電壓控制的半導(dǎo)體器件，輸入電阻在108Ω~109Ω之間（輸入電阻高）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、集成簡易、不會(huì)造成二次擊穿的現(xiàn)象、安全工作范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，目前場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)成為了雙極型晶體管和功率晶體管的最強(qiáng)力的競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管主要分為量大類分別是：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（mos管）。

場(chǎng)效應(yīng)管不等于MOS管，MOS管只是場(chǎng)效應(yīng)管的一種；而場(chǎng)效應(yīng)管只是晶體管的一種，晶體管又分為單極性和雙極性晶體管；具體是怎么區(qū)分的，請(qǐng)看下面的介紹。

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管相比：

（1）場(chǎng)效應(yīng)管中，導(dǎo)電過程是多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)又有少子的漂移運(yùn)動(dòng)。

（2）場(chǎng)效應(yīng)管是通過柵極電壓uGS來控制漏極電流iD，稱為電壓控制器件；雙極型晶體管是利用基極電流iB（或射極電流iE）來控制集電極電流iC，稱為電流控制器件。

（3）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻很大；晶體管的輸入電阻較小。

（4）場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm的值較小，雙極型晶體管的β值很大。在同等條件下，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力不如晶體管高。

（5）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極可以互換使用，MOS管如果襯底沒有和源極接在一起，也可將d、s極互換使用；雙級(jí)型晶體管的c和e極互換則稱為倒置工作狀態(tài)，此時(shí)β將變得非常小。

（6）場(chǎng)效應(yīng)管可作為壓控電阻使用。

（7）場(chǎng)效應(yīng)管是依靠多子導(dǎo)電，因此具有較好的溫度穩(wěn)定性、抗輻射性和較低的噪聲。

場(chǎng)效應(yīng)管還有一些缺點(diǎn)：如功率小，速度慢等。但由于它工藝簡單，易于集成，故廣泛應(yīng)用于集成電路。

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