三極管的導通條件介紹

NPN型三極管和PNP型三極管的導通條件，晶體管的工作區域可以分為三個區域:  

1.截止區：

其特征是發射結電壓小于開啟電壓且集電結反向偏置。對于共射電路，UBE<=UON且UCE>UBE 。此時IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，鍺管的ICEO小于幾十微安。因此在近似計算時認為晶體管截止時的iC=0。  

2.放大區：

其特征是發射結正向偏置（UBE大于發射結開啟電壓UON）且集電結反向偏置。對于共射電路，UBE>UON且UCE>=UBE （即UC>UB>UE）。此時的，iC幾乎僅決定于IB，而與UCE無關，表現出IB 對 iC的控制作用，IC=?IB。在理想情況下 ，當IB按等差變化時，輸出特性是一組橫軸的等距離平行線。（簡單的說對于NPN型管子,是C點電位>B點電位>E點電位,對PNP型管子,是E點電位>B點電位>C點電位,這是放大的條件.）

3.飽和區：

其特征是發射結和集電結均處于正向偏置。對于共射電路，UBE>UON且 UCE<UBE。此時IC不僅與IB有關，而且明顯隨UCE增大而增大，IC<?IB。在實際電路中，如晶體管的UBE增大時，IB隨之增大，但IC增大不多或基本不變，則說明晶體管進入飽和區。對于小功率管，可以認為當UCE=UBE，及UCB=0時，晶體管處于臨界狀態，及臨界飽和和臨界放大狀態。

要想使管子飽和導通,則應該(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub。

在模擬電路中，絕大多數情況下應保證晶體管工作在放大狀態。

壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試，應用各大領域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹