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        如何使電源實(shí)現(xiàn)更高的效率介紹

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2023-05-31 瀏覽:-

        如何使電源實(shí)現(xiàn)更高的效率介紹

        具體來說,大電流柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過最大限度地減少開關(guān)損耗來幫助提高整體系統(tǒng)效率。當(dāng) FET 開關(guān)或開啟和關(guān)閉時(shí)會(huì)發(fā)生開關(guān)損耗。要打開 FET,必須對(duì)柵極電容充電超過閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流有利于柵極電容的充電。驅(qū)動(dòng)電流能力越高,電容充電或放電的速度就越快。能夠提供和吸收大量電荷可以最大限度地減少功率損耗和失真。(傳導(dǎo)損耗是 FET 中另一種類型的開關(guān)損耗。傳導(dǎo)損耗由 FET 的內(nèi)阻或 R DS(on) 定義,其中 。FET 在傳導(dǎo)電流時(shí)消耗功率。)

        換句話說,目標(biāo)是在需要高頻電源轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)中最小化開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間段。突出這種性能的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)范是上升和下降時(shí)間的組合。參見圖 1。
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        圖 1:典型的上升和下降時(shí)間圖

        如果我們想更上一層樓,延遲匹配等柵極驅(qū)動(dòng)器功能可以有效地將驅(qū)動(dòng)電流能力加倍。延遲匹配是兩個(gè)通道之間內(nèi)部傳播延遲的匹配。這是通過并聯(lián)雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出或?qū)⑼ǖ肋B接在一起來實(shí)現(xiàn)的。例如,TI 的UCC27524A具有極其精確的 1ns(典型值)延遲匹配,可以將驅(qū)動(dòng)電流從 5A 提高到 10A。

        圖 2 顯示了合并為一個(gè)驅(qū)動(dòng)器的 UCC27524A 的 A 和 B 通道。INA 和 INB 輸入連接在一起,OUTA 和 OUTB 也是如此。一個(gè)信號(hào)控制并聯(lián)組合。
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        圖 2:UCC27524A 具有并聯(lián)輸出,可將驅(qū)動(dòng)電流能力加倍

        提高系統(tǒng)效率的結(jié)果之一是增加了功率密度。在功率因數(shù)校正 (PFC) 和隔離式電源的同步整流塊、DC/DC 磚和太陽能逆變器等應(yīng)用中,對(duì)更高功率密度的需求是一種趨勢(shì),在這些應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員受限于相同尺寸(或更小!)等量的輸出功率。

        高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低 FET 體二極管消耗的功率來提高效率。體二極管是一種寄生二極管,是大多數(shù)類型 FET 的固有特性。它由 pn 結(jié)形成,位于漏極和源極之間。圖 1 顯示了以典型 MOSFET 電路符號(hào)表示的體二極管。
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        圖 3:包含本征體二極管的 MOSFET 符號(hào)

        限制體二極管的導(dǎo)通時(shí)間將反過來降低其上消耗的功率。這是因?yàn)楫?dāng) MOSFET 處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),體二極管兩端的壓降通常高于 MOSFET 兩端的電壓。由于 P = I x V(其中 P 是功耗,I 是電流,V 是電壓降)對(duì)于相同的電流水平,通過 MOSFET 通道的傳導(dǎo)損耗明顯低于通過體二極管的傳導(dǎo)損耗。

        這些概念在電力電子電路的同步整流中發(fā)揮作用。同步整流通過用功率 MOSFET 等主動(dòng)控制器件替換二極管來提高這些電路的效率。減少體二極管傳導(dǎo)可以最大限度地發(fā)揮這種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

        讓我們考慮一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器。當(dāng)高端 FET 關(guān)閉且電感中仍有電流時(shí),低端 FET 的體二極管變?yōu)檎蚱谩T诒苊鈸舸┧匦璧囊恍《嗡绤^(qū)時(shí)間之后,低側(cè) FET 導(dǎo)通并開始通過其通道導(dǎo)通。相同的原則適用于其他同步半橋配置,通常用于 DC/DC 電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

        負(fù)責(zé)高速導(dǎo)通的一個(gè)重要柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端施加信號(hào)到輸出開始變高之間的時(shí)間。圖 4 顯示了一個(gè)例子。這個(gè)想法是當(dāng) FET 重新開啟時(shí),體二極管將關(guān)閉。快速導(dǎo)通傳播延遲可加快 FET 的導(dǎo)通速度,最大限度地縮短體二極管的導(dǎo)通時(shí)間,從而最大限度地降低損耗。
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        圖 4:時(shí)序圖,其中 t_PDLH 代表開啟傳播延遲

        壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)、橋堆”研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,20年行業(yè)經(jīng)驗(yàn),擁有先進(jìn)全自動(dòng)化雙軌封裝生產(chǎn)線、高速檢測(cè)設(shè)備等,研發(fā)技術(shù)、芯片源自臺(tái)灣,專業(yè)生產(chǎn)流程管理及工程團(tuán)隊(duì),保障所生產(chǎn)每一批物料質(zhì)量穩(wěn)定和更長(zhǎng)久的使用壽命,實(shí)現(xiàn)高度自動(dòng)化生產(chǎn),大幅降低人工成本,促進(jìn)更好的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)!選擇壹芯微,還可為客戶提供參數(shù)選型替代,送樣測(cè)試,技術(shù)支持,售后服務(wù)等,如需了解更多詳情或最新報(bào)價(jià),歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服!

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