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金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為P溝道MOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規模大的集成電路。

p溝道增強型mosfet的結構及工作原理

一、P溝道增強型mosfet的結構和工作原理

如圖(1)是P溝道增強型mosfet的結構示意圖．通過光刻、擴散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個摻雜的P區，分別引出電極，稱為源極(s)和漏極(D)，同時在漏極與源極之間的Si02絕緣層上制作金屬，稱為柵極(G)，柵極與其他電極是絕緣的，所以稱為絕緣柵場效應管 。圖(2)為P溝道增強型MOS管的電路符號

正常工作時，P溝道增強型mosfet的襯底必須與源極相連，而漏心極對源極的電壓v璐應為負值，以保證兩個P區與襯底之間的PN結均為反偏，同時為了在襯底頂表面附近形成導電溝道。柵極對源極的電壓‰也應為負．

1．導電溝道的形成(VDS=0)

當VDS=0時，在柵源之間加負電壓比，如圖(3)所示，由于絕緣層的存在，故沒有電流，但是金屬柵極被補充電而聚集負電荷，N型半導體中的多子電子被負電荷排斥向體內運動，表面留下帶正電的離子，形成耗盡層，隨著G、S間負電壓的增加，耗盡層加寬，當v＆增大到一定值時，襯底中的空穴(少子)被柵極中的負電荷吸引到表面，在耗盡層和絕緣層之間形成一個P型薄層，稱反型層，如下圖

(4)所示，這個反型層就構成漏源之間的導電溝道，這時的VGs稱為開啟電壓VGS(th)，啵到vGS(th)后再增加，襯底表面感應的空穴越多，反型層加寬，而耗盡層的寬度卻不再變化，這樣我們可以用vGs的大小控制導電溝道的寬度。

2．VDS≠O的情況

導電溝道形成以后，D，S間加負向電壓時，那么在源極與漏極之間將有漏極電流ID流通，而且ID隨/VDS/而增.ID沿溝道產生的壓降使溝道上各點與柵極間的電壓不再相等，該電壓削弱了柵極中負電荷電場的作用，使溝道從漏極到源極逐漸變窄，如圖(5)所示．當VDS增大到使VGD=VGS(即VDS=VGS一VGS(TH))，溝道在漏極附近出現預夾斷，如圖(6)所示．再繼續增大VDS，夾斷區只是稍有加長，而溝道電流基本上保持預夾斷時的數值，其原因是當出現預夾斷時再繼續增大VDS，VDS的多余部分就全部加在漏極附近的夾斷區上,故形成的漏極電流ID近似與VDS無關。

二、P溝道增強型mosfet的特性曲線和轉移特性曲線

圖(7)、(8)分別是P溝道增強型M06管的漏極特性曲線和轉移特性曲線．漏極特性曲線也可分為可變電阻區、恒流區和夾斷區三部分．轉移特性曲線是、，璐使管子工作在漏極特性曲線的恒流區時所對應的ID=F（VGS）曲線：

ID與VGS的近似關系式為：

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