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        P溝道場效應MOS管作為開關作用的條件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-24 瀏覽:-

        P溝道場效應MOS管作為開關作用的條件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

        P溝道場效應MOS管作為開關作用的條件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

        P溝道(場效應)MOS管作為開關,柵源的閥值為-0.4V,當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通,如果S為2.8V,G為1.8V,那么GS=-1V,mos管導通,D為2.8V;如果S為2.8V,G為2.8V,VGSw,那么mos管不導通,D為0V,所以,如果2.8V連接到S,要mos管導通為系統(tǒng)供電,系統(tǒng)連接到D,利用G控制。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管關斷,低電平使mos管導通。

        如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域為1.8V,那么GPIO高電平的時候為1.8V,GS為1.8-2.8=-1V,MOS管導通,不能夠關斷。

        GPIO為低電平的時候,假如0.1V,那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。


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