NVD5862NT4G場效應管參數及代換,NVD5862NT4G中文資料規格書

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NVD5862NT4G描述與特性

汽車功率MOSFET。60V，98A，5.7mΩ，單N溝道，DPAK通過AEC-Q101認證的MOSFET，且符合生產件批準程序 (PPAP)，適用于汽車應用。

• 低 RDS(on) 以最大限度地減少傳導損耗

• 高電流能力

• 指定雪崩能量

• AEC-Q101 認證和 PPAP 能力

• 這些器件無鉛、無鹵素/無 BFR 且符合 RoHS

合規

NVD5862NT4G最大額定參數 TC=25°C，除非另有說明。

參數/符號/數值/單位

Drain−to−SourceVoltage漏源電壓 VDSS：60V

Gate−to−SourceVoltage柵源電壓VGS：20V

ContinuousDrainCur-rent連續漏極電流(TC=25°C) ID：98A

ContinuousDrainCur-rent連續漏極電流(TC=100°C) ID：69A

PowerDissipation功耗(TC=25°C) PD：115W

PowerDissipation功耗(TC=100°C) PD：58W

OperatingJunction and StorageTemperature工作結點和存儲溫度 TJ, Tstg：−55 to 175°C

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