MOS管知識解析|要如何降低MOS的失效率

如何以最小代價降低MOS的失效率

如何降低MOS的失效率：在高端MOS的柵極驅動電路中，自舉電路因技術簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅動IC的損壞。如何解決？一個合適的電阻就可搞定問題。

【問題分析】

圖為典型的半橋自舉驅動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導致VS端產生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關系。

該負壓會把驅動的電位拉到負電位，導致驅動電路異常，還可能讓自舉電容過充電導致驅動電路或者柵極損壞。由于IC的驅動端通常都有寄生二極管，當瞬間的大電流流過驅動口的二極管時，很可能引發(fā)寄生SCR閉鎖效應，導致驅動電路徹底損壞。

【解決方法】

如何降低MOS的失效率：如上圖所示，在自舉驅動芯片VS端與Q1的源極之間增加一個電阻Rvs，該電阻不僅是自舉限流電阻，同時還是導通電阻和關斷電阻。

由于占空比受自舉電容影響，該電阻值一般不能取得較大，推薦值為3~10Ω較為適宜。電阻和自舉電容的容值與其充電時間可以由以下公式得出：

其中C是自舉電容容值，D為最大占空比

對于減小高端MOS驅動的寄生振蕩，除通過增加驅動端的電阻發(fā)揮作用外，在印制電路板的設計中，還可注意以下一些細節(jié)，將寄生振蕩降到最低。

如：自舉二極管應緊靠自舉電容，功率布線盡量短且走線圓滑，直插器件應緊貼PCB以減小寄生電感等。

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