MOS管應(yīng)用電路以及經(jīng)典電路分析

MOS管應(yīng)用電路

MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達驅(qū)動，也有照明調(diào)光。現(xiàn)在的MOS驅(qū)動，有幾個特別的需求。

1，MOS管應(yīng)用電路：低壓應(yīng)用

當(dāng)使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2，MOS管應(yīng)用電路：寬電壓應(yīng)用

輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。

3，雙電壓應(yīng)用

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。有一個相對通用的電路滿足這三種需求。

mos管電路經(jīng)典分析

問題：此電路為什么會燒壞Mos管？

此電路是一個非常經(jīng)典的小電流MOS管驅(qū)動電路，但LZ將之移到大電流應(yīng)用上，水土不服，出了點小問題。

1.燒MOS管不是由于Q41沒有飽和所致，而是由于驅(qū)動電流不足，驅(qū)動大功率MOS管時（由于其柵極電容的存在），無法快速對其柵極電容充電，引起柵極電壓上升緩慢，切換功耗大大增大，引起燒MOS管。

2.D41不能省，一般MOS管的柵極極限電壓為15-16V,此穩(wěn)壓管起保護MOS管作用，防止過高電壓（本電路去掉R42時可高達+30V?!）對MOS管的柵極沖擊引起擊穿損壞。

3.R42不能省，起到限制光耦最大輸出電流，及對IN4744A的限流作用。由于光耦的最大輸出電流一般較小，過份減小R42加大光耦輸出電流，易引起光耦加速老化及損壞，因此，比較好的方法是在光耦輸出端用NPN三極管加一級射極跟隨器,放大輸出驅(qū)動電流。另外，可在R45上并聯(lián)一只幾十至百皮皮法的小電容，起加速MOS管的飽和。

4.R43不能大幅增加，一般加大到10K為上限，其原因在于，當(dāng)MOS管關(guān)斷時，儲存一定驅(qū)動電壓的柵極電容通過R43放電，最終將MOS管關(guān)斷，如R43太大，MOS管關(guān)斷時間增加，關(guān)斷速度減慢，引起關(guān)斷時的切換功耗大大增大，引起燒MOS管。當(dāng)然，最好的方法是在柵極加負壓，加速MOS管關(guān)斷，但這樣成本會高些。

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