來源：壹芯微 發布日期
2019-08-10 瀏覽：-壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,MOS管IRLML6402參數,請看下方
MOS管IRLML6402參數
PD最大耗散功率：1.3W
ID最大漏源電流：-3.7A
V(BR)DSS漏源擊穿電壓：-20V
RDS(ON)Ω內阻：65MΩ
VRDS(ON)ld通態電流：-3.7A
VRDS(ON)柵極電壓：-4.5V
VGS(th)V開啟電壓：-0.4~-1.2V
VGS(th)ld(μA)開啟電流：-250μA
Gfs(min)S跨導：6S
Gfs(min)VDS漏源電壓：-10V
Gfs(min)lo通態電流：-3.7A
封裝:SOT-23
黑膠長:最小值2.8mm，最大值3.0mm
黑膠寬：最小值1.2mm，最大值1.4mm
黑膠高：最小值0.9mm，最大值1.0mm
壹芯微科技針對二三極管作出了良好的性能測試，應用各大領域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
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