mos管公式-MOS管公式驅動電流-飽和區電流等

mos管公式詳解

mos管公式-MOS管驅動電流的估算

mos管公式驅動電流的估算第一種:

可以使用如下公式估算：

Ig=Qg/Ton

其中：

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

td(on)：MOS導通延遲時間，從有駛入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值90%的時間。

Tr：上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間

Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）

mos管公式驅動電流的估算第二種:

密勒效應時間（開關時間）Ton/off=Qgd/Ig；

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；

Ig：MOS柵極驅動電流；Vb：穩態柵極驅動電壓；

mos管公式驅動電流的估算第三種:

以IR的IRF640為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應）假定你希望在0.2us內使管子開通，估計總時間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：

67nC/0.4us=0.1675A，當然，這是峰值，僅在管子開通和關短的各0.2us里有電流，其他時間幾乎沒有電流，平均值很小，但如果驅動芯片不能輸出這個峰值，管子的開通就會變慢。

mos管公式飽和區電流公式及其詳解

mos管公式飽和區電流公式，在強反型狀態下飽和區中的工作。小信號參數的值因MOS晶體管的工作區域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態，而且工作在飽和區，求這種狀況下的小信號參數。

可將跨導gm表示如下：

在能夠疏忽溝道長度調制效應的狀況下，得到

這個跨導gm能夠用漏極電流ID表示為

也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為

體跨導gmb能夠由下式求得：

由式(1．18)和式(1.20)，能夠分別導出

所以得到

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