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        mos管更換與安裝_檢測方法_需要注意的事項

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-08-17 瀏覽:-

        mos管更換與安裝_檢測方法_需要注意的事項

        維修期間經常會遇到MOS管損壞及更換問題,在無法用回原型號管子進行維修時,就需要使用其它型號的MOS管代替。在維修中人們總是習慣使用高于原管子參數的MOS管進行代換,但是并非功率越大越好。這是因為功率越大的MOS管,其輸入的電容也就越大;帶來的后果就是會造成MOS管的開、關性能變壞。以致造成代換后的激勵不匹配,并會造成意想不到的故障現象。

        一、安裝和更換MOS管前的準備

        1. 由于MOS管柵極絕緣層很薄,柵漏電容較小。有U=Q/C,所以靜電和感應電壓成正比。人體靜電電壓就極易對管子的柵極造成損

        壞。

        2. 不要人體直接觸碰管子柵極。

        3. 由于干燥易產生靜電,應在安裝和更換MOS管前,洗洗手,以消除靜電。

        4. 最好加接地護腕。功放模塊接地。最好用防靜電焊臺或防靜電烙鐵。

        二、測量MOS管方法

        1. 用指針表100歐姆擋測量。先使表筆接地,放掉表筆靜電。

        2. 測量柵源,柵漏,正反向電阻都應無窮大。

        3. 源漏間一般是兩個背靠背二極管,測量源漏極正反向電阻都應無窮大。有很多MOS管的源漏極是同一種半導體材料建立在另一半導體

        材料作為襯底。而襯底又是和源極接在一起的,所以源漏間相當一只二極管。N-溝道場效應管,紅筆接漏極,黑筆接源極,正向電阻約

        5-10K。反向無窮大。由于先測量柵極會給柵極充靜電而保持有柵壓,紅筆接源極,黑筆接漏極時不是無窮大。可短路柵源極放掉柵

        壓,再重新測量源漏極電阻,確定源漏是否損壞。

        4. 場效應管一般損壞是柵漏擊穿,柵漏電阻很小。源漏極損壞,源漏極反向電阻較小,100K以下。

        5. 注意BLF861由于工藝,一對管子的襯底是一起的,兩管子漏極也一起的,管子兩漏極間電阻是很小的。而BLF278一對管子的襯底不

        是一起的,兩管子漏極電阻是無窮大的。

        三、細心檢查電路中有無損壞的元件

        1. 對有3db合成器的電路,要檢查負載端的負載值是否準確。

        2. 對照檢查柵地電阻是否正確。

        3. 檢查柵極.漏極電路微帶電容有沒損壞。

        4. 調整柵壓到最小,(吉兆功放一般是順時針調小)。

        四、安裝MOS管

        1. 先把功放模塊安裝MOS管的位置進行清理,焊掉有影響的微帶電容,電感,漏極供電電感,把柵.漏極焊接處的焊錫清理干凈,把底

        座用酒精清洗。

        2. 給MOS管的底座均勻涂薄薄一層導熱硅脂, 保證管子和底座良好接觸導熱。

        3. 裝好管子,擰好固定螺絲和散熱器,用硬物按壓,使柵極.漏極都緊壓在焊接處。

        4. 用60W接地烙鐵,拔掉電源。用好的焊錫絲,快速對柵極,漏極進行焊接。焊錫不宜太多和太少,焊錫多了散熱太快,太少了焊接不

        牢。注意不要直接用手拿焊錫焊接,用絕緣鑷子或尖嘴鉗夾著焊錫焊接。烙鐵功率不宜太小,不宜過大。太小溫度不夠,太大也易燙壞

        管子。焊接時間要短,焊接時間長容易燙壞管子,可分多次焊接。

        5. 焊接好管子后,逐個焊接好諧振電容,諧振電感,最后焊接漏極供電電感。

        五、安裝管子后的靜態調整

        1. 功放模塊輸出接功率負載,輸入不加激勵。對功放管子靜態電流檢查,可量管子漏極電路中的電流取樣電阻的電壓,判斷管子的靜態

        電流是否正常,因為柵壓已調到較小值,靜態電流應很小。如果取樣電壓較大就可能功放有自激,要排除自激后再校正靜態工作點。

        2. 如果取樣電壓很小,沒有自激。可調整柵壓到比正常柵壓略低,再測電流取樣電壓,微調柵壓可調電阻,使取樣電壓達到正常值。

        BLF278的柵壓為3V左右,BLF861的柵壓為5V左右,對管工作電流均為0.8A。當取樣電阻R050四只并聯時,為0.0125歐姆。取樣電壓

        應為10MV。

        幾種常見的MOSFET驅動電路

        不隔離互補驅動電路

        mos管更換與安裝_檢測方法_需要注意的事項

        由于MOSFET為電壓型驅動器件,當其關斷時,漏源兩端的電壓的,上升會通過結電容在柵源兩端產生干擾電壓,如圖所示的電路不能

        提供負電壓,因此其抗干擾性較差,有條件的話可以將其中的地換成-Vcc,以提高抗干擾性及提高關斷速度。

        隔離驅動電路

        (1)正激驅動電路

        mos管更換與安裝_檢測方法_需要注意的事項

        N3為去磁繞組,S1為要驅動的功率管。R2為防止功率管柵源電壓振蕩的一個阻尼電阻。R1為正激變換器的假負載,用于消除關斷期間輸

        出電壓發生振蕩而誤導通,并作為MOSFET關斷時的能量泄放回路。

        該驅動電路的導通速度主要與被驅動S1柵源極等效輸入電容的大小、Q1的驅動信號的速度以及Q1所能提供的電流大小有關

        優點:

        電路簡單,并實現了隔離驅動。只需單電源即可提供導通時的正電壓及關斷時的負電壓。占空比固定時,通過合理的參數設計,此驅動

        電路也具有較快的開關速度。

        缺點:

        由于變壓器副邊需要一個較大的防振蕩電阻,該電路消耗比較大。當占空比變化時關斷速度變化加大。脈寬較窄時,由于儲存的能量減

        少導致MOSFET關斷速度變慢。

        (2)有隔離變壓器互補驅動電路

        mos管更換與安裝_檢測方法_需要注意的事項

        該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大及占空比小于0.5的場合

        優點:

        電路簡單可靠,具有電氣隔離作用。當脈寬變化時,驅動的關斷能力不會隨著變化。該電路只需一個電源,隔直電容C的作用在關斷時

        提供一個負壓,從而加速了功率管的關斷,有較高的抗干擾能力。

        缺點:

        輸出電壓幅值會隨著占空比變化而變化。當D較小時,負電壓較小,抗干擾能力變差,同時正向電壓高,應注意不要超過柵源允許電壓:

        當D大于0.5時,正向電壓降低,負電壓升高,應注意使其負電壓不要超過柵源允許電壓。


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