MOS管電路周邊的的幾個(gè)電阻作用是什么

圖2-14電調(diào)A相的上臂和下臂

首先要明確一個(gè)概念，模擬電路不是軟件編程、非0即1，而是一個(gè)連續(xù)變化的過程。無論是電容上的電壓還是電感上的電流，都不能突變，否則將產(chǎn)生災(zāi)難性的后果。上跳沿和下降沿并不是越陡峭越好,有時(shí)候在設(shè)計(jì)中甚至故意添加一些電阻讓上升下降沿變得平緩以保護(hù)元器件。當(dāng)然，如果你能在確保安全的情況下，盡可能能地提高上升下降沿的頻率的話，你就是模電設(shè)計(jì)高手了。

先來看R17,它有三個(gè)作用，其一是防止震蕩，其二是減小柵極充電峰值電流，其三是保護(hù)NA-場效應(yīng)管的D-S極不被擊穿。先來看第一點(diǎn)，一般單片機(jī)的I/O輸出口都會帶點(diǎn)雜散電感，在電壓突變的情況下可能和柵極電容形成LC振蕩，當(dāng)它們之間串上R17后，可增大阻尼而減小振蕩效果。第二，當(dāng)柵極電壓拉高時(shí)，首先會對柵極電容充電，充電峰值電流可大致計(jì)算為：  , 可見已經(jīng)超過了單片機(jī)的I/O輸出能力，串上R17后可放慢充電時(shí)間而減小柵極充電電流。第三，當(dāng)柵極關(guān)斷時(shí)，NA-管的D-S極從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時(shí)，漏源極電壓VDs會迅速增加，如果dVps /dt過大，就會擊穿器件，所以添加R17可以讓柵極電容慢慢放電，而不至于使器件擊穿，100 歐是比較通用的做法。

接下來看R16，其作用是下拉型抗干擾電阻。當(dāng)單片機(jī)剛上電時(shí)，IO口一般都處于高阻態(tài)，如果沒有R18，柵極電壓就處于懸浮狀態(tài)，可能意外使場效應(yīng)管導(dǎo)通，R16的選值范圍沒啥特別的講究，筆者曾經(jīng)用1.8k 和180k都仿真過，看不出對輸出波形有明顯影響。

再接下來看R2，它的作用是上拉NA+場效應(yīng)管的柵極，其阻值不能太小，太小會造成三極管導(dǎo)通時(shí)承受過大的電流；同樣，阻值也不能太大，太大會導(dǎo)致場效應(yīng)管的柵極電壓上升緩慢，而影響開關(guān)性能。關(guān)于這點(diǎn)再多說兩句，如果阻值太大，這個(gè)時(shí)候的影響場效應(yīng)管開關(guān)速度的瓶頸不在MOSFET的柵極電容上，而是在三級管的BC極電容.上!當(dāng)STEUER_ A+從低電平變高電平后，VCC首先會通過R2給三級管的BC極電容充電，如果R2太大會導(dǎo)致充電速度緩慢，從而導(dǎo)致R2兩端電壓變化緩慢，進(jìn)而影響場效應(yīng)管的柵源極電壓上升速度。網(wǎng)友lijeamnd兄做了個(gè)很有意義的實(shí)驗(yàn):在三極管的BC極并了個(gè)鉗位二二極管，強(qiáng)制不給BC極電容充電，然后發(fā)現(xiàn)場效應(yīng)管的上升下降沿都有明顯的改善。此君現(xiàn)在正在研究導(dǎo)航算法，在論壇諸位四軸達(dá)人中實(shí)力不俗。lieamnd 寫的關(guān)于調(diào)試無刷電機(jī)的兩篇心得帖子都很有分量，鏈接在附錄二中給出，大家有興趣的話可以去看一-看。

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