1.什么是MOS管?

MOS管的定義：金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。 其屬于半導體主動元件中的分立器件，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。 三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。 MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件，是電壓器件。

2.MOS管的特性

MOS管的三個極分別是：G(柵極)，D(漏極)，S(源極)，當柵極和源極之間電壓大于某一特定值，漏極和源極才能導通。

MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產生電場從而導致源極-漏極電流的產生。 此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。

3.MOS管的常見應用

MOS管的隔離作用，其實質也就是實現電路的單向導通，它就相當于一個二級管。 與直接使用二極管相比，MOS管做隔離時，可以讓MOS管飽和刀捅，這樣通過的電流幾乎不產生壓降。

(1)PMOS

PMOS管常用于管理電源的通斷，屬于無觸點開關(無觸點開關是一種由微控制器和電力電子器件組成的新型開關器件，依靠改變電路阻抗值，階躍地改變負荷電流，從而完成電路的通斷)。 柵極低電平時完全導通，高電平時完全截止。 而且，柵極可以加高過電源的電壓，則可以用5v信號管理3.3v電源的開關，此原理也用于電平轉換。

(2)核磁共體

NMOS常用于管理某電路是否接地，屬于無觸點開關，柵極高電平時導通接地，低電平時截止。 其高電平可以高過被控制部分的電源，因為柵極是隔離的。 因此也可以用5v信號控制3.3v系統的某處是否接地。

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