一個MOSFET管的動態(tài)響應只取決于它充(放)電這個器件的本身寄生電容和由互連線及負載引起的額外電容所需要的時間。 本征電容的主要來源有三個：基本的MOS結(jié)構(gòu)、溝道電荷以及漏和源反向偏置pn結(jié)的耗盡區(qū)。

MOS結(jié)構(gòu)電容

MOS晶體管柵通過柵氧與導電溝道相隔離，柵電容Cg取決于柵氧單位面積電容Cox的電容值，氧化層厚度越薄，電容值越低。

從MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出，在實際中，源和漏與柵有交疊的部分，從而引起柵源、柵漏之間產(chǎn)生覆蓋電容。

溝道電容

柵至溝道的電容Cgc的大小取決于工作區(qū)域和端口電壓，當晶體管處于截至區(qū)域時(a)，沒有任何溝道存在，所以總電容Cgc出現(xiàn)在柵和體之間。 在電阻區(qū)(b)，形成了一個反型層出現(xiàn)溝道，Cgcb為0，電容在柵和漏之間平均分布。 在飽和區(qū)(c)，溝道被夾斷，柵漏之間的電容近似為0，柵至體電容也為0，所有電容在柵和源之間。

隨著飽和程度的增加，總的柵電容逐漸變小。

結(jié)電容

結(jié)電容(也稱為擴散電容)是由反響偏置的源-體和漏-體之間的pn結(jié)引起的，由底板pn結(jié)和側(cè)壁pn結(jié)兩部分組成。

底板pn結(jié)：由源區(qū)(摻雜為ND)和襯底(摻雜為NA)形成的。

側(cè)壁pn結(jié)：由摻雜濃度為ND的源區(qū)以摻雜濃度為NA+的channel-stop 注入形成的。

電容模型

結(jié)合上述的分析可以總結(jié)出一個電容模型：

各部分電容關(guān)系給出表達式：

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