MOS管并聯和晶體管以及MOS管的并聯理論

晶體管與MOS管并聯理論：

(1)、晶體管具有負的溫度系數，即當溫度升高時，導通電阻會變小。

(2)、MOS管具有正的溫度系數，即當溫度升高時，導通電阻會逐漸變大。

相比于晶體管，MOS管的特性更加適合并聯電路中的均流，因此當電路中電流很大時，一般會采用并聯MOS管的方法來進行分流。采用MOS管進行電流的均流時，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產生的熱量多，從而引起導通電阻的增大，減少流過的電流；MOS管之間根據電流大小的不同來反復調節，最后可實現兩個MOS管之間的電流均衡。

注：晶體管也可以通過并聯來實現大電流的流通，但是此時需要通過在基極串接驅動電阻來解決各個并聯晶體管之間的電流均衡問題。

晶體管(MOS管)并聯注意事項：

(1)、各個晶體管(MOS管)的基極(柵極)不能直接相連，要分別串接驅動電阻進行驅動，以防止振蕩。

(2)、要控制各個晶體管(MOS管)的開啟時間和關斷時間保持一致，因為如果不一致，先開啟的管子或后關斷的管子會因電流過大而擊穿損壞。

(3)、為了以防萬一，最好在各個晶體管(MOS)管的發射極(源極)串接均流電阻，當然這并非強制選項。

(4)、各個并聯的晶體管(MOS管)之間要注意熱耦合，因為電流集中在一方管子的主要原因就是由發熱引起的。

晶體管(MOS管)并聯應用：

(1)、功率開關MOSFET的集成IC芯片，其內部是將大量的小MOS管并聯連接起來的，這樣每一個MOS管單元中流過的電流很小，防止局部的電流集中(若電流局部集中，則器件就損壞)，但是電路總體可以通過較大的電流，非常適合驅動電機等重負載設備。當然多個MOS管并聯還可以改善高頻特性，這已經成為目前功率開關MOS管的主要結構。

(2)、電池等供電設備是移動設備獲取電力的主要來源之一，但是一般的高功率電池供電電流都非常大(功率使用可以達到100A),因此僅僅使用單MOS管作為開關器件還不能滿足大電流的應用目的，這時多個MOS管并聯便能大展身手了。

(3)、功率放大電路（射極輸出電路）需要驅動較大功率的負載設備，這時單個晶體管(MOS管)的流通電流能力有限，遠遠實現不了大功率設備(100W,1000W等等)的驅動能力；而采用多管并聯可以解決這一難題。

MOS管功率管并聯需要考慮的要點

MOS管并聯方法，為了使并聯電路中每個MOS管盡可能的均流，在設計并聯電路時需要考慮如下要素 ：

1、飽和壓降VDs或導通RDSon：對所有并聯的MOS管而言 ，導通時其管壓降是相同的，其結果必然是飽和電壓小的MOS管先流過較大的電流 ，隨著結溫的升高，管壓降逐漸增大，則流過管壓降大的MOS管的電流又會逐漸增大，從而減輕管壓降小的MOS管的工作壓力。因此，從原理上講，由于N溝道功率型MOS管的飽和壓降VDs或導通電阻RDSon具有正的溫度特性 ，是很適合并聯的。

2、開啟電壓VGS（th）：在同一驅動脈沖作用下 ，開啟電壓VGS（th）的不同，會引起MOS管的開通時刻不同，進而會引起先開通的MOS管首先流過整個回路的電流，如果此時電流偏大,不加以限制 ，則對MOS管的安全工作 造成威脅；

3、開通、關斷延遲時間Td(on)、td(off)；開通上升、關斷下降時間tr、tf:同樣，在同一驅動脈沖作用下，td(on)、td(off)、tr 、tf的不同 ，也會引起MOS管的開通／關斷時刻不同，進而會引起先開通／后關斷的MOS 管流過整個回路的電流，如果此時電流偏大，不加以限制，則同樣對MOS 管的安全工作造成威脅。

4、驅動極回路的驅動輸入電阻、等效輸入 電容、等效輸入電感等，均會造成引起MOS管的開通／關斷時刻不同。

從上所述 ，可以看出，只要保證無論在開通、關斷、導通的過程流過MOS管的電流均使MOS管工作在安全工作區內，則MOS管的安全工作得到保障。為此，本文提出一種MOS管的并聯方法，著重于均流方面的研究，可有效的保證MOS管工作在安全工作區內，提高并聯電路的工作可靠性。

MOS管的ID-VDS曲線，使用Excel的繪制折線圖功能生成。該曲線清晰展示了有4只mos管的導通電阻小于其余的MOS管，這些MOS管工作時將流過更大的電流，易受損。因此將這四只MOS管換新后，16條ID-VDS曲線近乎完美重合，達到了并聯使用要求。

壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試，應用各大領域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹