MOS管并聯(lián)的相關(guān)知識

一、MOS管并聯(lián)理論：

(1)、三極管(BJT)具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會變小。

(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會逐漸變大。

MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中的均流，因此當(dāng)電路中電流很大時，一般會采用并聯(lián)MOS管的方法來進(jìn)行分流。采用MOS管進(jìn)行電流的均流時，當(dāng)其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導(dǎo)通電阻的增大，減少流過的電流。MOS管之間根據(jù)電流大小的不同來反復(fù)調(diào)節(jié)，最后可實現(xiàn)兩個MOS管之間的電流均衡。

二、MOS管并聯(lián)注意事項：

(1)、各個MOS管的柵極不能直接相連，柵極要分別串接驅(qū)動電阻進(jìn)行驅(qū)動，以防止振蕩。持一致，因為如果不一致，先開啟的MOS管或后關(guān)斷的MOS管會因為電流過大而擊穿損壞。

(3)、為了以防萬一，最好在各個MOS管的源極串接均流電阻，當(dāng)然這并非強(qiáng)制選項。

三、MOS管并聯(lián)應(yīng)用：

(1)、功率開關(guān)MOSFET的集成IC芯片，其內(nèi)部是將大量的小MOS管并聯(lián)連接起來的，這樣每一個MOS管單元中流過的電流很小，防止局部的電流集中(若電流局部集中，則器件就損壞)，但是電路總體可以通過較大的電流，非常適合驅(qū)動電機(jī)等重負(fù)載設(shè)備。當(dāng)然多個MOS管并聯(lián)還可以改善高頻特性，這已經(jīng)成為目前功率開關(guān)MOS管的主要結(jié)構(gòu)。

(2)、電池等供電設(shè)備是移動設(shè)備獲取電力的主要來源之一，但是一般的高功率電池供電電流都非常大(功率使用可以達(dá)到100A),因此僅僅使用單MOS管作為開關(guān)器件還不能滿足大電流的應(yīng)用目的，這時多個MOS管并聯(lián)便能大展身手了。

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