MOSFET與BJT區(qū)別

MOSFET是電壓驅(qū)勱，雙極型晶體管（BJT）是電流驅(qū)勱。

（1）只容許從信號(hào)源叏少量電流的情況下，選用MOS管；在信號(hào)電壓較低，有容許從信號(hào)源取較多電流的條件下，選用三極管。

（2）MOS管是單極性器件（靠一種多數(shù)載流子導(dǎo)電），三極管是雙極性器件（既有多數(shù)載流子，也要少數(shù)載流子導(dǎo)電）。

（3）有些MOS管的源極和漏極可以互換運(yùn)用，柵極也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。

（4）MOS管應(yīng)用普遍，可以在很小電流和很低電壓下工作。

（5）MOS管輸入阻抗大，低噪聲，MOS管較貴，三極管的損耗大。

（6）MOS管常用來(lái)作為電源開(kāi)關(guān)，以及大電流開(kāi)關(guān)電路、高頻高速電路中，三極管常用來(lái)數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制。

MOSFET與IGBT區(qū)別

IGBT芯片=MOSFET+BJT。 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT（雙極型三極管）和MOSFET（絕緣柵型場(chǎng)效管）組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體，兼?zhèn)淞穗p極型晶體管的高耐壓和MOSFET輸入抗阻高的特性，因此IGBT適用于高電壓、大電流場(chǎng)合。

MOSFET與IGBT區(qū)別：電壓需求

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