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        MOSFET導(dǎo)通過(guò)程圖文詳細(xì)詳解(快速了解)

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2020-09-15 瀏覽:-

        MOSFET導(dǎo)通過(guò)程圖文詳細(xì)詳解(快速了解)

        MOSFET導(dǎo)通過(guò)程詳解,MOSFET簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)上包括NMOS、PMOS等。

        (一)MOSFET開(kāi)通過(guò)程

        MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

        T0~T1:驅(qū)動(dòng)通過(guò)Rgate對(duì)Cgs充電,電壓Vgs以指數(shù)的形式上升。

        MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

        T1~T2:Vgs達(dá)到MOSFET開(kāi)啟電壓,MOSFET進(jìn)入線(xiàn)性區(qū),Id緩慢上升,至T2時(shí)刻Id到達(dá)飽和或是負(fù)載最大電流。在此期間漏源極之間依然承受近乎全部電壓Vdd。

        MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

        T2~T3:T2時(shí)刻 Id達(dá)到飽和并維持穩(wěn)定值,MOS管工作在飽和區(qū),Vgs固定不變, 電壓Vds開(kāi)始下降。此期間Cgs不再消耗電荷, VDD開(kāi)始給Cgd提供放電電流。

        MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

        T3~T4: 電壓Vds下降到0V,VDD繼續(xù)給Cgs充電,直至Vgs=VDD,MOSFET完成導(dǎo)通過(guò)程。

        重要說(shuō)明:

        Vgs的各個(gè)階段的時(shí)間跨度同柵極消耗電荷成比例(因△Q = IG△T,而IG在此處為恒流源之輸出)。

        T0 ~ T2跨度代表了Ciss(VGS+ CGD)所消耗的電荷,對(duì)應(yīng)于器件規(guī)格書(shū)中提供的參數(shù)Qgs(Gate to Source Charge)。

        T2 ~ T3跨度代表了CGD(或稱(chēng)為米勒電容)消耗的電荷,對(duì)應(yīng)于器件規(guī)格書(shū)中提供的參數(shù)Qds(Gate to Drain (“Miller”) Charge)。

        T3時(shí)刻前消耗的所有電荷就是驅(qū)動(dòng)電壓為Vdd、電流為Id的MOSFET所需要完全開(kāi)通的最少電荷需求量。T3以后消耗的額外電荷并不表示驅(qū)動(dòng)所必須的電荷,只表示驅(qū)動(dòng)電路提供的多余電荷而已 。

        開(kāi)關(guān)損失:在MOSFET導(dǎo)通的過(guò)程中,兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程,流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程,那么這段時(shí)間里,MOS管損失的是電壓和電流的乘積,稱(chēng)為開(kāi)關(guān)損失。

        導(dǎo)通損耗: MOS管在導(dǎo)通之后,電流在導(dǎo)通電阻上消耗能量,稱(chēng)為導(dǎo)通損耗。

        整體特性表現(xiàn):

        驅(qū)動(dòng)電量要求:

        △Q t0 ~ t4= (t4-t0 )IG = VG(CGS + CGD)+ VDDCGD

        驅(qū)動(dòng)電流要求:

        IG =△Q t0 ~ t4 /(t4-t0 )≈△Q t0 ~ t3 / (t3-t0 )≈Qg/(Td(on) + Tr)

        驅(qū)動(dòng)功率要求:

        Pdrive=∫t4-t0 vg(t)ig(t)≈VG△Q≈VG〔VG(CGS+CGD)+ VDDCGD〕

        驅(qū)動(dòng)電阻要求:

        RG = VG / IG

        一般地可以根據(jù)器件規(guī)格書(shū)提供的如下幾個(gè)參數(shù)作為初期驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的計(jì)算假設(shè):

        a) Qg(Total Gate Charge):作為最小驅(qū)動(dòng)電量要求。

        b)相應(yīng)地可得到最小驅(qū)動(dòng)電流要求為IG ≈Qg/(td(on)+tr)。

        c)Pdrive=VG *Qg作為最小驅(qū)動(dòng)功率要求。

        d)相應(yīng)地,平均驅(qū)動(dòng)損耗為VG *Qg*fs

        二、MOSFET關(guān)斷過(guò)程

        MOSFET,導(dǎo)通過(guò)程

        MOSFET關(guān)斷過(guò)程是開(kāi)通過(guò)程的反過(guò)程,如上圖示意。

        壹芯微科技針對(duì)二三極管,MOS管作出了良好的性能測(cè)試,應(yīng)用各大領(lǐng)域,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹

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