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N溝道增強型MOS管的四個區域

1）可變電阻區（也稱非飽和區）

滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預夾斷軌跡左邊的區域其溝道開啟。在該區域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時，ip與uDs成線性關系，該區域近似為一組直線。這時場效管D、S間相當于一個受電壓UGS控制的可變電阻。

2）恒流區（也稱飽和區、放大區、有源區）

滿足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區域，在該區域內，當uGs一定時，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時場效應管D、S間相當于一個受電壓uGs控制的電流源。場效應管用于放大電路時，一般就工作在該區域，所以也稱為放大區。

3）夾斷區（也稱截止區）

夾斷區（也稱截止區）滿足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，io=0，管子不工作。

4）擊穿區位

擊穿區位于圖中右邊的區域。隨著UDs的不斷增大，PN結因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時應避免管子工作在擊穿區。

轉移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點對應的i、Us值在ib- Uss 坐標中連成曲線，即得到轉移性曲線，如圖3（b）所示。

mos場效應管的參數

場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但普通運用時只需關注以下主要參數：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。

（1）飽和漏源電流

飽和漏源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。

（2）夾斷電壓

夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線。

（3）開啟電壓

開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。

（4）跨導

跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權衡場效應管放大才能的重要參數。

（5）漏源擊穿電壓

漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必需小于BUDS。

（6）最大耗散功率

最大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。

（7）最大漏源電流

最大漏源電流IDSM是另一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經過的最大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。

MOS管工作原理

MOS管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應管）它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

mos場效應管作用

一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

三、場效應管可以用作可變電阻。

四、場效應管可以方便地用作恒流源。

五、場效應管可以用作電子開關。

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