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隨著LED行業的不斷發展，LED發光二極管已經向高效率，大功率等方面快速發展，LED的功率越大，散熱性的材料的需求就越高，散熱材料的開發已經成為LED的重要問題。一般LED的發光效率和使用壽命會隨結晶的增加而下降，當結晶溫度達到125℃以上時，LED會出現失效的可能,為使LED結溫保持在較低溫度下，必須采用高熱導率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，以降低LED總體的封裝熱阻。現階段常用基板材料有si材料、金屬及金屬合金材料、陶瓷和復合材料等，Si金屬成本高及金屬合金材料的固有導電性、熱膨脹系數與芯片材料不匹配，陶瓷材料難加工等缺點，均很難同時滿足大功率基板的各種性能要求。

現階段功率型LED封裝技術常選用的散熱基板主要有環氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復合基板、陶瓷覆銅基板等。

1、環氧樹脂覆銅基板是傳統電子封裝中應用最廣泛的基板,只有是成本低，易加工，但由于熱導率低，耐高溫性差，只適用于小功率LED。

2、金屬基覆銅基板具有優異的散熱性，它已成為目前大功率LED散熱基板市場上應用最廣泛的產品，導致熱量不能很好的從芯片直接傳到金屬底座上；金屬Cu、Al的熱膨脹系數較大，可能造成比較嚴重的熱失配問題。

3、金屬基復合基板最具代表性的材料是鋁碳化硅。鋁碳化硅是將SiC陶瓷的低膨脹系數和金屬Al的高導熱率結合在一起的金屬基復合材料，它綜合了兩種材料的優點，具有低密度、低熱膨脹系數、高熱導率、高剛度等一系列優異特性。AlSiC的熱膨脹系數可以通過改變SiC的含量來加以調試，使其與相鄰材料的熱膨脹系數相匹配，從而將兩者的熱應力減至最小。

4、陶瓷基板材料常見的主要有Al2O3、氮化鋁、SiC、BN、BeO、Si3N4等,陶瓷基板，機械強度，能用作為支持構件，導熱系數大，熱膨脹系數與Si和GaAs等芯片材料相匹配，耐熱性能良好，介電常數低，介電損耗小，絕緣電阻及絕緣破壞電高，在高溫、高濕度條件下性能穩定，可靠性高。化學穩定性好，無吸濕性；耐油、耐化學藥品；無毒、無公害、α射線放出量小；晶體結構穩定，在使用溫度范圍內不易發生變化；原材料資源豐富。

現階段Al2O3和BeO陶瓷是大功率封裝兩種主要基板材料。但這基板材料都各存在缺點，Al2O3的熱導率低，熱膨脹系數與芯片材料不匹配；BeO雖然具有優良的綜合性能，但生產成本較高和有劇毒。因此，從性能、成本和環保等方面考慮，這兩種基板材料均不能作為今后大功率LED器件發展最理想材料。氮化鋁陶瓷具有高熱導率、高強度、高電阻率、密度小、低介電常數、無毒、以及與Si相匹配的熱膨脹系數等優異性能，將逐步取代傳統大功率LED基板材料，成為今后最具發展前途的一種陶瓷基板材料。

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