可控硅投切開關和復合開關相比有哪些優(yōu)缺點

目前市場上大家對可控硅投切開關（也稱晶閘管投切開關）的第一印象就是價格高，發(fā)熱大，功耗高，那跟復合開關相比還有哪些優(yōu)點存在呢？

我們先來看看各自的特點：

一、 可控硅投切開關特點

一般用于TSC技術的低壓動態(tài)補償用的可控硅都采用大功率晶閘管反并聯(lián)封裝，其額定電流可達數(shù)百安培以上，反向耐壓可達1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性，因此在通過檢測電壓過零點時給可控硅觸發(fā)信號實現(xiàn)無觸點、無涌流投切，并且響應時間快，在20ms之內，即半個波形周期內就能實現(xiàn)觸發(fā)導通。

由于可控硅屬半導體器件，通態(tài)電流比較大時，會有一定的發(fā)熱。但現(xiàn)在配電房環(huán)境越來越好，很多都配備了空調，且現(xiàn)在電容器大部分都加了串聯(lián)電抗器，溫升問題已經被統(tǒng)一對待處理。特別適用于需要頻繁投切的重要配電場合。而且現(xiàn)在很多地區(qū)在大力推廣混合補償，更給了可控硅投切開關新的用武之地。

二、 復合開關特點

復合開關又叫機電一體化開關，是由交流接觸器和可控硅相并聯(lián)封裝而成。其導通利用可控硅實現(xiàn)無涌流投切，投切完成后再將交流接觸器主回路閉合，并退出可控硅。這一優(yōu)點是運行時發(fā)熱相對于可控硅稍小一些。

復合開關因交流接觸器與可控硅的相互制約導致無法實現(xiàn)較大的通態(tài)電流，反向耐壓只能達到1600v并且投切過程復雜，可控硅開斷頻繁，容易被擊穿，造成故障率較高，一般用于不需要頻繁投切的非重要配電場合。

三、兩者應用的差異分析

首先從運行維護上考慮，通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強制風冷散熱模塊上，后期維護方便，如出現(xiàn)某只可控硅損壞可快速更換，其他可控硅可繼續(xù)使用。由于復合開關采用交流接觸器與可控硅小形三端封裝，如內部任意部件出現(xiàn)故障，只能將整體更換，且故障率要高于可控硅投切開關，后期綜合維護費用高。

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