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快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短等特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。

快恢復二極管在制造上采用摻金、單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關速度，同時也能得到較高的耐壓。快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。

快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100納秒以下。

通常，5~20A的快恢復二極管管采用TO–220FP塑料封裝，20A以上的大功率快恢復二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO–3P塑料封裝，5A以下的快恢復二極管則采用DO–41、DO–15或DO–27等規格塑料封裝。

采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復二極管，有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰

反向恢復時間

什么是反向恢復時間?當外加二極管的電壓瞬間從正向轉到反向時，流經器件的電流并不能相應地瞬間從正向電流轉換為反向電流。此時，正向注入的少數載流子(空穴)被空間電荷區的強電場抽取，由于這些空穴的密度高于基區平衡空穴密度，因而在反向偏置瞬間，將產生一個遠大于反向漏電流的反向電流，即反向恢復電流IRM。與此同時，符合過程的強化也在加速這些額外載流子密度的下降，直到基區中積累的額外載流子的完全消失，反向電流才下降并穩定到反向漏電流。整個過程所經歷的時間為反向恢復時間。

反向恢復時間trr的定義是：電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。

快恢復、超快恢復二極管的結構特點

快恢復二極管的內部結構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。

20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看，可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內部包含兩只快恢復二極管，根據兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安～幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。

檢測方法

常規檢測方法

在業余條件下，利用萬用表能檢測快恢復、超快恢復二極管的單向導電性，以及內部有無開路、短路故障，并能測出正向導通壓降。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。

實例：測量一只超快恢復二極管，其主要參數為：trr=35ns、IF=5A、IFSM=50A、VRM=700V。將萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為6.4L，n=19.5L格。反向電阻則為無窮大。進一步求得VF=0.03V/×19.5=0.585V。證明管子是好的。

注意事項：

有些單管，共三個引腳，中間的為空腳，一般在出廠時剪掉，但也有不剪的;

若對管中有一只管子損壞，則可作為單管使用;

測正向導通壓降時，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測試電流太小，遠低于管子的正常工作電流，故測出的VF 值將明顯偏低。在上面例子中，如果選擇R×1k檔測量，正向電阻就等于2.2k，此時n=9格。由此計算出的VF值僅0.27V，遠低于正常值(0.6V);

快恢復二極管的恢復時間是200-500ns;

超快速二極管的恢復時間是30-100ns;

肖特基二極管的恢復時間是10ns 左右;

而且他們的正向導通電壓也有所不同，肖特基<快恢復<高效率。

快恢復二極管：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件.

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