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在很多情況下特別是對那些需要工作在較高類率的器件而言，縮短載流子壽命，進而對恢復電荷、關斷時間等關鍵參數進行控制是十分重要的。具體對于快恢復二極管應用載流子壽命控制技術要求盡量減小存儲電荷Qrr、加速Qrr的消失過程以及設法使Qrr的消失過程變緩。

  在功率器件制造工藝中，可以通過金、鉑等金屬雜質的擴散來引入有效復合中心，從而降低載流子的有效壽命，也可以在器件制作的最后進行高能電子輻照等對載流子壽命進行控制。金屬雜質的濃度分布通常呈U形，在硅晶片的兩側表面濃度較高，在中間部分分布較為平緩；電子輻照產生的缺陷濃度為軸向均勻分布，兩類技術產生的缺陷濃度分布如圖1所示。

圖1 金、鉑擴散(實線)及電子輻照(虛線)產生的缺陷濃度分布 
  金屬中銅的擴散系數最高，但往往會在高位錯密度區形成團簇，從而使器件的擊穿特性變壞，金和鉑是最常用的有效復合中心，它們可以在800~1000℃溫度范圍內向硅體內擴散直至飽和。盡管向硅中擴散貴金屬用以降低載流子壽命的雜質的方法十分簡單易行，不需要進行精確的控制，但往往會導致載流子壽命分布的不均勻以及熱斑的形成。因為該操作是在金屬化以前進行的，不能像輻照技術那樣可以前后對器件的特性進行檢測、修正。
  在輻照技術中，高能粒子可以穿入半導體，與晶格原子的相互作用失掉能量并使晶格的正常位置成為可替位的各種缺陷，主要包括空位、雙空位、雜質-空位對、間隙原子以及雜質-空位-間隙原子復合體等復雜空位，所有這些缺陷均會在硅內形成復合中心。不同的情況下可能會是不同的空位占主導地位，比如在重摻雜磷的硅中磷空位缺陷占主導地位，在用于制造功率器件的高阻材料(無論N型還是P型)雙空位均占主導地位。甚至在較低的溫度下這些空位在硅體內也具有較高的遷移率。輻照技術可以利用電子，中子、質子、a( alpha)粒子和y(gama)射線對硅進行輻照，對應某一給定的能量，透射深度近似與粒子的質量成反比，除了電子照感生缺陷為均勻分布以外大部分的輻照損傷往往會集中在粒子射程末端，如圖2所示。圖中Xmax為缺陷峰的位置，和離子的能量以及荷質比有關，NT為感生缺陷濃度。
圖2 高能離子輻照晶格缺陷在硅體內軸向分布示意圖 

  γ輻照的入射深度很大，可以對金屬化后及封裝好的器件的載流子壽命進行調節。然而，它會損傷p-n結表面終端結構，進而使器件擊穿特性變壞。一般應用較多的是電子輻照，在金屬化后、器件封裝前，利用能量為幾MeV的電子射線對器件進行輻照。電子的入射深度一般為幾毫米(例如，能量為3MeV的電子的入射深度大于6mm)，且形成的缺陷可以在器件內均勻分布。深能級的濃度與輻照劑量成正比，而深能級的濃度又可決定載流子壽命τ，見式1。

(1)  其中，τ0為輻照前載流子壽命，K為隨電子能量微小變化的常數，Φ為輻照劑量，通常以C/m2為單位。電子輻照可以對劑量進行精確的監控，而且可重復操作性較強。
  中子輻照的入射深度比電子照淺。根據輻照粒子能量的不同，入射深度可以在幾微米到數百微米間變化。利用粒子射程末端輻照損傷的增加，可以通過控制輻照能量在器件表面下不同深度處形成所霱的低壽命區域，從而可以優化雙極型功率器件靜態、動態參數之間的折衷。中子輻照陷阱能級主要來源于空位復合體及注入的氫相關能級。
  利用α粒子，即He2+離子，對硅進行輻照可以得到與中子輻照類似的效果。因為a粒子具有較大的質量，需要較高的能量(典型值約為10MeV)才能入射到與其它粒子同樣的深度。中子和a粒子輻照都需要在真空中進行，所需設備成本較高。
  輻射造成的某些損傷是不穩定的，需要在器件工作溫度左右(比如250~300℃)對其進行幾個小時的退火處理，以去除這些缺陷。但即使這樣處理也很難確保器件工作的長期穩定性。
  另外，通過改變器件的結構也可以達到少數載流子控制的目的，比如:改變材料的電阻率、雜質分布以及革區的厚度等。