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        晶體管穩(wěn)壓器并聯(lián)后取消散熱器

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2019-11-04 瀏覽:-

        雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來(lái)像老式的電子元件,但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn),它們可以解決許多問(wèn)題。我們可以發(fā)現(xiàn)過(guò)去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用,比如我們可以在某些情況下用多個(gè)并聯(lián)的小功率晶體管替代更大功率的晶體管(帶或不帶散熱器),并從中收獲諸多好處。

        一般來(lái)說(shuō),與更大功率特別是帶大塊散熱器的晶體管相比,小功率晶體管速度更快,具有更高的工作頻率、更低的噪聲、更小的總諧波失真,并且它們的封裝更方便人工和自動(dòng)焊接。

        功耗最高1W左右的許多晶體管采用類似于TO-92的封裝。這些晶體管大多數(shù)價(jià)格比較低,可以大批量購(gòu)買,而且TO-92那樣的封裝很方便使用。

        從這些封裝產(chǎn)生的熱量很容易通過(guò)冷卻風(fēng)扇甚至正常的空氣對(duì)流高效地散發(fā)掉。另外,我們可以利用這些晶體管周邊較大的銅表面積提高它們的功耗。針對(duì)這些電子元件的不同封裝,它們的數(shù)據(jù)手冊(cè)和文獻(xiàn)資料中記錄有大量散熱信息和計(jì)算方法,因此我們這里不再詳細(xì)討論。

        諸如TO-126、TO-220之類的功率晶體管封裝又大又重,很難安裝在PCB上,而且為了發(fā)揮這些功率晶體管的全部性能和可靠性,還要額外使用散熱器。

        這些封裝和散熱器會(huì)阻塞冷卻空氣的流動(dòng),而且額外散熱器的使用會(huì)產(chǎn)生機(jī)械和電氣問(wèn)題,比如在振動(dòng)設(shè)備中散熱器不是很穩(wěn)定,它們需要電氣隔離等。

        晶體管電路

        讓我們考慮以下這些經(jīng)常在音頻驅(qū)動(dòng)器使用的NPN/PNP晶體管對(duì):

        TIP29/TIP30 (NPN/PNP, 40V, 1A, 2W, Ftmin = 3MHz, TO-220),

        BD139/BD140 (NPN/PNP, 80V, 1.5A, 1.25W, Ftmin >3MHz or not specified, TO-126)

        BC639/BC640 (NPN/PNP, 80V, 1A, 0.8W, Ft=130MHz/50MHz, TO-92)

        BC327/BC337 (NPN/PNP, 45V, 0.8A, 0.625W, Ft(typ). 100MHz/100MHz, TO-92)

        BC550/BC560 (NPN/PNP, 45V, 0.1A, 0.5W, Ftmin =100MHz/100MHz, TO-92)

        這些晶體管的其中一些參數(shù)可能在不同制造商那里有所不同,也有些參數(shù)可能所有制造商都不標(biāo)。

        我們可以看到,兩個(gè)并聯(lián)BC639的功耗大約是1.6W,超過(guò)了單個(gè)BD135/137/139 1.25W的功耗。

        另外,BC639/BC640對(duì)有保證的轉(zhuǎn)換頻率遠(yuǎn)高于BD139/BD140對(duì)的Ft (在數(shù)據(jù)手冊(cè)中并不總是有保證的)。小功率晶體管的直流增益通常遠(yuǎn)高于更大晶體管的增益。因此我們可以嘗試使用兩個(gè)或多個(gè)小功率晶體管代替帶或不帶小型散熱器的一個(gè)更大功率的晶體管。

        圖1畫出了采用1個(gè)運(yùn)放(OA)和6個(gè)小功率晶體管的音頻放大器電路,它可以取代用一個(gè)運(yùn)放和一對(duì)不帶散熱器的更大功率晶體管(比如BD135/BD136)組成的放大器電路。

        晶體管

        圖1:1個(gè)運(yùn)放和6個(gè)小功率晶體管的電路代替一個(gè)運(yùn)放加上兩個(gè)帶或不帶散熱器的更大功率晶體管組成的電路。

        圖1:1個(gè)運(yùn)放和6個(gè)小功率晶體管的電路代替一個(gè)運(yùn)放加上兩個(gè)更大功率晶體管組成的電路。

        連接發(fā)射極的均衡電阻R6到R11是必須要的。這些電阻可以在一定程度上減小并聯(lián)晶體管之間的差異。它們的阻值通常在放大器公共負(fù)載的2%至10%之間。為了確保輸出電流在所有并聯(lián)晶體管之間得到合適的分配,應(yīng)該監(jiān)測(cè)這些電阻上的壓降。

        電阻R5也是必須的,并且應(yīng)該具有最小的適用值。它能減小放大器的交越失真。

        IC1可以是任何合適的放大器,如NE5534/A。最好是使用能夠驅(qū)動(dòng)至少600Ω負(fù)載的運(yùn)放。如果需要調(diào)整放大器的輸出偏移量,可以使用帶偏移調(diào)整引腳的運(yùn)放。

        在運(yùn)放和晶體管不過(guò)載的條件下可以得到運(yùn)放的整個(gè)供電電壓范圍。

        我們應(yīng)該注意到,許多運(yùn)放有很大的會(huì)使運(yùn)放發(fā)熱的靜態(tài)電流。舉例來(lái)說(shuō):

        NE5534/A的最大靜態(tài)電流Iqmax = 8mA,

        LF355的最大靜態(tài)電流Iqmax = 4mA,

        LF356的最大靜態(tài)電流Iqmax = 10mA,

        NE5532的最大靜態(tài)電流Iqmax = 16mA,

        RC4560的最大靜態(tài)電流Iqmax = 5.7mA,

        如果我們?cè)?plusmn;15V或更高的電源電壓下使用這些和類似的運(yùn)放,那么在沒(méi)有任何輸入信號(hào)的情況下這些運(yùn)放也會(huì)有顯著的功耗。對(duì)于采用表貼封裝的運(yùn)放來(lái)說(shuō)這種情況尤其糟糕,比如NE5532的功耗將達(dá)30V*16mA = 540mW,這一點(diǎn)應(yīng)該加以慎重考慮。

        新加的高增益小功率晶體管要求運(yùn)放輸出很小的電流,因此可以降低運(yùn)放IC的散熱風(fēng)險(xiǎn)。事實(shí)上,這些新增晶體管還可以用來(lái)利用運(yùn)放的最大峰峰值電壓降低運(yùn)放IC的功耗,因?yàn)樗蜇?fù)載提供更小的輸出電流。

        小功率晶體管的速度更快,并且基極-發(fā)射極結(jié)點(diǎn)中的閾值電壓也更低。它們通常是為前置放大器設(shè)計(jì)的,與更大功率的晶體管相比,用它們可以獲得更低的總諧波失真(THD)和互調(diào)失真(IMD)。小功率晶體管通常還具有更高的增益,增益范圍在400至800之間,這也是更低THD和IMD的一個(gè)原因。

        壹芯微科技針對(duì)二三極管,MOS管作出了良好的性能測(cè)試,應(yīng)用各大領(lǐng)域,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹

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