耗盡型MOS管和增強型MOS管區(qū)別介紹

耗盡模式和增強模式MOS管是什么

耗盡型MOSFET：

耗盡型 MOSFET 類似于開路開關(guān)。在此模式下，施加柵極到源極電壓 （VGS） 以關(guān)閉器件。當柵極電壓為負時，正電荷會在通道中累積。這會導致溝道中的耗盡區(qū)并阻止電流流動。因此，由于電流的流動受耗盡區(qū)形成的影響，所以稱為耗盡型 MOSFET。

增強型MOSFET：

增強型 MOSFET 類似于閉合開關(guān)。在此模式下，施加柵極-源極電壓 （VGS） 以開啟器件。當負電壓施加到 MOSFET 的柵極端時，攜帶正電荷的空穴在氧化層附近聚集，形成從源極到漏極的溝道。隨著電壓變得更負，通道寬度增加，電流增加；因此它被稱為增強型MOSFET。

耗盡模式和增強模式MOS管的區(qū)別

1、工作原理不同

耗盡型：當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。即：耗盡型MOS管的VGS （柵極電壓）可以用正、零負電壓控制導通。

增強型：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。即：增強型MOS管必須使得VGS》VGS （th） （柵極閾值電壓）能導通。

2、結(jié)構(gòu)不同

耗盡型：場效應管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。

增強型：增強型的原始溝道較窄、摻雜濃度較低，使得在柵電壓為0時溝道即被夾斷，只有加上正柵偏壓 （必須小于0.5V） 時才產(chǎn)生溝道而導電；輸出伏安特性仍然為飽和特性。

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