來源：壹芯微 發布日期
2021-11-17 瀏覽：-HFD1N65S場效應管參數,HFD1N65S規格書,MOS管廠家直銷
HFD1N65S參數及代換,HFD1N65S中文資料規格書下載
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HFD1N65S詳細參數如下：
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 單脈沖雪崩電流 | IAR | 0.9 | A |
| 柵極-源極電壓 | ID | 0.9 | A |
| 漏極電流-脈沖 | IDM | 3.6 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 26 | mJ |
| 重復雪崩能量 | EAR | 2.8 | mJ |
| 二極管恢復峰值 | dv/dt | 4.5 | V/ns |
| 功耗,(TC = 25°C) | PD | 2.5 | W |
| 工作結溫范圍 | TJ | -55~+150 | °С |
| 貯存溫度范圍 | TSTG | -55~+150 | °С |
| 用于焊接的最高引線溫度 | TL | 300 | °С |
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