關于MOS場效應管必學的基本參數 - 壹芯微

什么是場效應管？場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。場效應管有哪些基本參數？

(1)場效應管的基本參數

①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF)，是在耗盡型結型場效應管或耗盡型絕緣柵型場效應管源極接地的情況下，能使其漏源輸出電流減小到零時所需的柵源電壓UGS。

②開啟電壓UT 也稱閥電壓，是增強型絕緣柵型場效應管在漏源電壓UDS為一定值時，能使其漏、源極開始導通的最小柵源電壓UGS。

③飽和漏電流IDSS 是耗盡型場效應管在零偏壓(即柵源電壓UGS為零)、漏源電壓UDS大于夾斷電壓Up時的漏極電流。

④擊穿電壓BUDS和BUGS

a. 漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值，是當場效應管的漏源電壓UDS增大到一定數值時，使漏極電流ID突然增大且不受柵極電壓控制時的最大漏源電壓。

b. 柵源擊穿電壓BUGS。是場效應管的柵、源極之間能承受的最大上作電壓。

⑤耗散功率PD 也稱漏極耗散功率，該值約等于漏源電壓UDS與漏極電流ID的乘積。

⑥漏泄電流IGSS 是場效應管的柵—溝道結施加反向偏壓時產生的反向電流。

⑦直流輸入電阻RGS 也稱柵源絕緣電阻，是場效應管柵—溝道在反偏電壓作用下的電阻值，約等于柵源電壓UGS與柵極電流的比值。

⑧漏源動態電阻RDS 是漏源電壓UDS的變化量與漏極電流ID的變化量之比，一般為數千歐以上。

⑨低頻跨導gm 也稱放大特性，是柵極電壓UG對漏極電流ID的控制能力，類似于三極管的電流放大倍數β值。

⑩極間電容 是場效應管各極之間分布電容形成的雜散電容。柵源極電容(輸入電容)CGS和柵漏極電容cGD的電容量為1~3pF，漏源極電容CDS的電容量為0.1~1pF。

場效應管的主要參數

1. 開啟電壓UT (MOSFET)

通常將剛剛形成導電溝道、出現漏極電流ID時對應的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。

開啟電壓UT是MOS增強型管的參數。當柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對值時，場效應管不能導通。

2. 夾斷電壓UP (JFET)

當UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當UGS=UP時，漏極電流為零。

3. 飽和漏極電流IDSS (JFET)

飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場效應管發生預夾斷時的漏極電流。IDSS型場效應管所能輸出的最大電流。

4. 直流輸入電阻RGS

直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時柵一源極 之間的直流電阻。

結型場效應管：RGS》107ΩMOS管：RGS》109～1015Ω。

5. 跨導Gm

漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm=△ID/△UGS。它是衡量場效應管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個參數。gm相當于三極管的hFE。

6. 最大漏極功耗

最大漏極功耗PD=UDSID，相當于三極管的PCM。

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