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        功率器件MOS場效應(yīng)管的作用解析-壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-08-06 瀏覽:-

        功率器件中MOS場效應(yīng)管的作用解析-壹芯微

        MOS管是電子電路中常用的功率半導(dǎo)體器件,可以用作電子開關(guān)、可控整流等,是一種電壓驅(qū)動型的器件。


        一、什么是MOS管

        MOS管的全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,英文簡稱為MOSFET,具有三個電極,分別為:柵極G、源極S和漏極D,根據(jù)其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以分為P-MOS和N-MOS。其電氣符號如下圖所示。

        功率器件中MOS場效應(yīng)管的作用解析-壹芯微

        下面以NMOS為例分析其工作原理,在柵極G和源極S之間不加電壓的時候,在DS之間加正電壓時,D與襯底的P型半導(dǎo)體之間PN結(jié)反偏不通。當(dāng)GS之間加正電壓后,絕緣層和G極之間感應(yīng)出正電荷,絕緣層和P型半導(dǎo)體之間感應(yīng)出負(fù)電荷。這時負(fù)電荷和P型半導(dǎo)體中的載流子的極性相反,會將D和S的N型半導(dǎo)體連接起來形成一條N型的導(dǎo)體溝道。NMOS半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示。

        功率器件中MOS場效應(yīng)管的作用解析-壹芯微


        二、MOS管的驅(qū)動方式

        MOS管為電壓驅(qū)動型的半導(dǎo)體器件,對于NMOS而言,如果VGS>0,則NMOS導(dǎo)通;對于PMOS而言,如果VGS<0則,PMOS導(dǎo)通。其驅(qū)動電路示意圖如下圖所示。

        功率器件中MOS場效應(yīng)管的作用解析-壹芯微

        對于單片機電路而言,我們建議不要直接用GPIO來驅(qū)動MOS,因為單片機的供電電壓以3.3V居多,輸出的高電平為3.3V,對于功率較大的MOS而言,可能無法使MOS管完全導(dǎo)通。所以,一般通過三極管來驅(qū)動MOS管,三極管是電流型的驅(qū)動器件。


        三、MOS管的作用

        MOS管多被用作電子開關(guān),用在控制控制回路中控制負(fù)載的通斷,也可以當(dāng)作 可控整流 來實現(xiàn)交流變直流。這兩個最主要的應(yīng)用,除此之外,還具有防反接開關(guān)和電平轉(zhuǎn)換的作用。電平轉(zhuǎn)換作用的原理圖如下圖所示。

        功率器件中MOS場效應(yīng)管的作用解析-壹芯微


        上圖實現(xiàn)3.3V和5V電平的轉(zhuǎn)換,工作原理如下:

        左側(cè)輸入3.3V時,VGS=0,MOS管不導(dǎo)通,右側(cè)輸出5V電平;

        左側(cè)輸入0V時,VGS>0,MOS管導(dǎo)通,右側(cè)輸出0V;

        右側(cè)輸入0V時,MOS的寄生二極管導(dǎo)通,左側(cè)輸出0V;

        右側(cè)輸入5V時,VGS=0,MOS管不通,左側(cè)輸出3.3V;

        由此實現(xiàn)了,電平的雙向轉(zhuǎn)換。


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