二極管的三大雷區介紹

二極管-Diode，眾所周知是一種具有單向導電特性的電子元器件，硬件設計中經常碰到。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。

二極管的作用有整流電路，檢波電路，穩壓電路，各種調制電路等等。二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。二極管看似簡單，卻埋藏著很多雷區，需要我們特別關注。

雷區1：二極管的管壓降Vf: 

硅二極管（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發光二極管正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。一般經驗估算為1.7V~2.2V左右。因此正常設計中不能忽略二極管前后的管壓降。說白了，單向導通是以犧牲一部分電壓為代價的。

因此在一些電源電壓比較敏感的電路中如果有使用二極管的話，要特別注意電壓的變化，防止過了二極管之后的電壓不滿足要求。普通發光二極管的管壓降更高一些，要驅動的話可千萬別用1.8V這樣的電源哦。

雷區2：最高反向工作電壓Udrm)

加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，二極管的規格手冊中都會明確規定了最高反向工作電壓值。反向阻斷是有極限的，尤其是在交流的整流電路以及升壓電路中，不但要考慮正常的反向電壓，還要考慮到電感的感應電壓等等因素，留足裕量。

雷區3：反向電流Idrm

反向電流是指二極管在常溫（25℃）和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。! 

例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。

硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。很多設計要特別注意二極管在高溫環境下反向電流的成倍變大，選型的時候也要關注管子的反向電流參數對電路設計的影響。

USB5V是插USB時候供電的，不插USB時，由外部12V供電，工作工程如下，插入USB后，3904三極管導通，給CPU一個低電平中斷，讓CPU做出相應的動作，后來在不插入USB時，發現一接上到3V的電壓，CPU就能檢測到USB的低電平中斷，從而產生誤動作，之前R13貼的是47K，后來發現了這個現象，確定是二極管反向漏電流通過R13這個47K電阻，產生的電壓，導致三極管導通，后來測量，三極管基極確實有0.68V的電壓。: P+ 

1N4148的參數特性，IR為2.5uA，特性曲線圖如下：

從圖可以看出，溫度在55°到85°期間的漏電流情況，而且二極管的漏電流會隨溫度的升高，出現成倍增長。

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