電子元器件最常用的封裝形式有哪些

1、BGA（ballgridarray）球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體（PAC）。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP（四側引腳扁平封裝）小。

例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發的，首先在便攜式電話等設備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA的引腳（凸點）中心距為1.5mm，引腳數為225。現在也有一些LSI廠家正在開發500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC（見OMPAC和GPAC）。

2、BQFP（quadflatpackagewithbumper）帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起（緩沖墊）以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84到196左右（見QFP）。

3、碰焊PGA（buttjointpingridarray）表面貼裝型PGA的別稱（見表面貼裝型PGA）。

4、C-（ceramic）表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。

5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECLRAM，DSP（數字信號處理器）等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為DIP-G（G即玻璃密封的意思）。

6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝 EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、 0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規格。引腳數從32到368。

7、CLCC（ceramicleadedchipcarrier）帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G（見QFJ）

8、COB（chiponboard板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。

9、DFP（dualflatpackage）雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。

10、DIC（dualin-lineceramicpackage）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）。

11、DIL（dualin-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導體廠家多用此名稱。

12、DIP（dualin-linepackage）。雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和 slimDIP（窄體型DIP）。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見 cerdip）。

13、DSO（dualsmallout-lint）雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導體廠家采用此名稱。

14、DICP（dualtapecarrierpackage）雙側引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機械工業）會標準規定，將DICP命名為DTP。

15、DIP（dualtapecarrierpackage）同上。日本電子機械工業會標準對DTCP的命名（見DTCP）。

16、FP（flatpackage）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。

17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI芯片的電極區制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。

18、FQFP（finepitchquadflatpackage）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導導體廠家采用此名稱。

19、CPAC（globetoppadarraycarrier）美國Motorola公司對BGA的別稱（見BGA）。

20、CQFP（quadfiatpackagewithguardring）帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀（L形狀）。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208左右。

21、H-（withheatsink）表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。

22、pingridarray（surfacemounttype）表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有 1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數比插裝型多（250～528），是大規模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。

23、JLCC（J-leadedchipcarrier）J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導體廠家采用的名稱。

24、LCC（Leadlesschipcarrier）無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。

是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN-C（見QFN）。

25、LGA（landgridarray）觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227觸點（1.27mm中心距）和447觸點（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，應用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現在基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。

26、LOC（leadonchip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。

27、LQFP（lowprofilequadflatpackage）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。

28、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳 （0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產。

29、MCM（multi-chipmodule）多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。

MCM-L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。

MCM-C是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。

MCM-D是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基板的組件。

布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

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