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Prato Numbe ID（A) VDSS（V) RDS（ON）Ω

1N60H 1600 11.5

4N60H 4 600 2.7

7N60H 7 600 1.2

7N65H 7 650 1.4

840S 8 500 0.9

13N50H 13 500 0.048

6N70S 5.8 700 1.6

4360A 4 600 2.3

4365A 4 650 2.5

5N50H 5 500 1.5

4560A 6 600 1.7

4665B 7 650 1.4

4750S 9 500 0.9

5N60E 4.5 600 2.5

730H 6 400 1

7N80H 7 800 1.9

6140A10 400 0.5

10N65H1010 650 0.75

12N60H 12 600 0.65

12N65H 12 650 0.75

13N50H 13 500 0.48

18N50HF 18 500 0.32

20N50H 24 500 0.26

24N50H 24 500 0.2

9N90S 9 900 1.4

6650A 15 500 0.45

40N20H 40 200 0.1

6035A 11 350 0.48

6110A 15 100 0.11

1906B 230 60 0.0035

7610A 25 100 0.038

4665B 7 650 1.4

830U 8 500 0.9

10N80H 10 800 1.1

等場效應管的主要特性參數(shù)

場效應管的直流參數(shù)

1.夾斷電壓Up

在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個微小電流值(幾微安)時，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結型場效應管及耗盡型絕緣柵型場效應管。

2. 開啟電壓UT

在UDS為某一固定值的條件下，使S 極與D 極之間形成導電溝道的UGS就是開啟電壓。它只適用于增強型絕緣柵型場效應管。

3. 飽和電流IDSS

在UDS =0的條件下，漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時的溝道電流稱為飽和電流，它適用于耗盡型絕緣柵型場效應管。

4. 直流輸入電阻RGS

在場效應管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過的柵極電流之比，稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場效應管的直流輸入電阻比結型場效應管大兩個數(shù)量級以上。結型場效應管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω，而絕緣柵型場效應管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。

5. 漏源擊穿電壓BVDS

在增大漏師、電壓的過程中.使ID開始劇增的UDS值，稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場效應管的使用電壓。

6. 柵源擊穿電壓BVGS

對結型場效應管來說，反向飽和電流開始劇增時的UGS值，即為柵游、擊穿電壓。對于絕緣柵型場效應管來說，它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。

場效應管的微變參數(shù)

1.跨導gm

在漏源電壓UDS一定時，漏極電流ID的微量變化和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導，即跨導是衡量場效應管柵源電壓UGS對漏極電流ID控制能力的一個參數(shù)，也是衡量場效應管放大作用的重要參數(shù)之一。

2. 漏源動態(tài)電阻rDS

在柵灑、電壓一定時， UDS的微小變化量與ID的變化量之比，稱為漏源動態(tài)內阻rDS ,即rDS的取值范圍一般為數(shù)千歐至數(shù)百千歐。

場效應管的其他參數(shù)

①極間電容

場效應管的三個電極間都存在著極間電容，即柵師、電容CGS、柵漏電容CGD和師、漏電容CDS。CGS和CGD一般為1 - 3pF , CDS約為0.1 - 1pF

②漏源最大電流IDM

它是指場效應管漏源極的允許通過的最大電流

③場效應管耗散功率PD

它是指場效應管工作時所耗散的功率

④低頻噪聲系數(shù)NF

場效應管的噪聲是由內部載流子運動的不規(guī)則性引起的。它的存在會使一個放大器即使在沒有信號輸入時，在輸出端也會出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流的變化。場效應管的低頻噪聲系數(shù)要比半導體三極管小。

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