多個場效應(yīng)MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究解析-壹芯微

1. MOS管并聯(lián)的可行性分析

由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導(dǎo)致某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會升高比較多，電流就會降下來，由此可以分析出MOS管有自動均流的特性而易于并聯(lián)。

2. MOS管的并聯(lián)電路

理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)，實際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下

上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動電阻，每個MOS管都由獨立的柵極驅(qū)動電阻隔離驅(qū)動，主要是可以防止各個MOS管的寄生振蕩，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值過小，可能就起不到防止各個MOS管的寄生振蕩的作用，如果取值大了，開關(guān)速度會變慢，由于每個MOS管的結(jié)電容會有細(xì)微的不同，結(jié)果取值過大還會導(dǎo)致各個MOS管的導(dǎo)通速度相差比較大，所以R1-4在能夠防止各個MOS管的寄生振蕩的情況下盡量小到可以滿足開關(guān)速度。

關(guān)于R5-R8的柵極下拉電阻，主要作用是在驅(qū)動IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導(dǎo)通。在某些特殊的應(yīng)用場合下，比如對待機電流有限制的電池保護板，這個電阻往往取值很大甚至沒有，這樣?xùn)艠O的阻抗會比較高，極易感應(yīng)比較高的靜電損壞MOS管的柵極。這種應(yīng)用最好在柵源極之間并聯(lián)一個15V左右的穩(wěn)壓管。

3.MOS管的并聯(lián)對布線的要求

大家知道，多個MOS管并聯(lián)，漏極和源極的走線都需要通過多個MOS管的總電流，理論上計算，如果要達到單個MOS管的電流不偏移平均電流的10%，那么總線上的總阻抗一定要控制在所有MOS管并聯(lián)后的內(nèi)阻的10%以內(nèi)。比如過50A的電流，由我們的RU75N08R 4顆并聯(lián), RU75N08典型是8mΩ,并聯(lián)后就是2 mΩ，那么漏極或源極的走線電阻需要控制在2 mΩ*10%=0.2 mΩ以內(nèi)才能保證10%的均流誤差。如果PCB銅箔厚度和寬度有限，我們可以加焊銅線或通過散熱片達到這個低的走線內(nèi)阻。

深圳市壹芯微科技專業(yè)研發(fā)制造各種直插/貼片，肖特基，TVS，超快恢，高效整流，低壓降，穩(wěn)壓管，場效應(yīng)管(MOSFET)，可控硅，三端穩(wěn)壓管，整流橋堆等選型產(chǎn)品，引進大量先進的二三極管選型封裝測試全自動化設(shè)備、專業(yè)生產(chǎn)系列精密設(shè)備，還有詳細(xì)的選型及介紹信息，如需報價或了解更多，歡迎咨詢在線客服