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        DC004NG選型替代,120N03場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微

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        DC004NG選型替代,120N03場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微

        DC004NG選型替代,120N03場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微

        120N03(N溝道增強型場效應晶體管);120N03場效應管參數;120N03場效應管封裝引腳圖;120N03場效應管中文資料規格書(PDF);

        電流(ID):120A,電壓(VDSS):30V,封裝形式:TO252

        120N03

        產品概要

        * ID=120A

        * VDS=30V

        * RDS(ON)=3.8mΩ @VGS=10V

        * 低柵極電荷(典型 54nC)

        * 快速切換

        * 100% 雪崩測試

        * 高功率和電流處理能力

        絕對最大額定參數(TC=25C,除非另有說明)

        漏源電壓 VDSS 30V

        柵源電壓 VGSS ±20V

        漏極電流持續 ID 120A

        漏極電流脈沖(注 2)IDM 480A

        單脈沖雪崩能量(注 3) EAS 240mJ

        峰值二極管恢復 dv/dt(注 4)dv/dt 6.0V/ns

        功耗 (TC=25°C) PD 125W

        結溫 TJ +150 °C

        儲存溫度 TSTG -55~+150 °C

        注意:

         1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

        絕對最大額定值僅是應力額定值,并不暗示功能設備操作。

         2. 重復評級:脈沖寬度受最大結溫限制

         3. L = 0.61mH,IAS = 28A,VDD = 27V,RG = 25Ω,起始 TJ = 25°C

         4. ISD ≤ 80A,di/dt ≤ 200A/µs,VDD ≤ BVDSS,起始 TJ = 25°C

         5. 基于最大允許結溫計算的連續電流。套餐限制

        電流為 100A。

        120N03參數

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        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
        深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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