常用電子元器件-場效應(yīng)管(FET)的認(rèn)識

場效應(yīng)管（FET）

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET）簡稱場效應(yīng)管。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。

場效應(yīng)管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應(yīng)管的分類

場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。

一、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）

結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。

N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)如下圖所示，它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個PN結(jié)，形成兩個PN結(jié)夾著一個N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。

▲結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)

D(Drain)稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極;

G(Gate)稱為柵極，相當(dāng)于的基極;

S(Source)稱為源極，相當(dāng)于發(fā)射極。

二、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）

它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。

絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。

耗盡型 →N溝道、P溝道

增強型 →N溝道、P溝道

▲N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)移特性曲線

場效應(yīng)管的作用

1. 場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2. 場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3. 場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

4. 場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5. 場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

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