場效應晶體管-MOSFET類型及規格

場效應晶體管類型

有許多方法可以定義可用的不同類型的MOSFET。它們可以通過多種方式進行分類，但下面的樹形圖中可以介紹一些主要類型的MOSFET。

MOSFET的類型圖

市場上有許多不同類型的FET，其中有各種名稱。一些主要類別延遲到低于。

•結FET，JFET：結FET或JFET使用反向偏置二極管結來提供柵極連接。基本上，在溝道半導體上制造小二極管。在操作中，這是反向偏置的，這意味著它與通道有效隔離-只有二極管反向電流可以在兩者之間流動。JFET是最基本的FET類型，也是最初開發的MOSFET。然而，它仍然在許多電子領域提供優質的服務。

•絕緣柵FET/金屬氧化硅FETFETMOSFET：這種FET在柵極和溝道之間使用絕緣層。通常，這由半導體的氧化物層形成。名稱IGFET指的是具有絕緣柵極的任何類型的FET。最常見的IGFET形式是硅MOSFET-金屬氧化物硅FET。這里，柵極由設置在氧化硅上的金屬層制成，該金屬層又位于硅溝道上。

•雙柵極MOSFET：這是一種特殊形式的MOSFET，沿溝道具有兩個串聯的柵極。與單柵器件相比，這使得能夠進行一些顯著的性能改進，特別是在RF時。第二個門在輸入和輸出之間提供額外的隔離，除此之外，它還可以用于混合/乘法等應用。

雙柵極MOSFET

•MESFET：MEtal硅FET通常使用砷化鎵制造，通常稱為GaAsFET。GaAsFET通常用于RF應用，它們可以提供高增益低噪聲性能。GaAsFET技術的一個缺點是非常小的柵極結構，這使得它對靜電ESD的損壞非常敏感。處理這些設備時必須非常小心。

•HEMT/PHEMT：高電子遷移率晶體管和假晶高電子遷移率晶體管是基本FET概念的發展，但開發用于實現非常高頻率的操作。雖然價格昂貴，但它們可以實現非常高的頻率和高水平的性能。

•FinFET：FinFET技術現在正在集成電路中使用，通過允許更小的特征尺寸實現更高水平的集成。由于需要更高的密度水平并且越來越難以實現更小的特征尺寸，因此更廣泛地使用FinFET技術。

•VMOS：垂直MOS的VMOS標準。它是一種使用垂直電流來改善開關和載流性能的FET。VMOSFET廣泛用于電源應用。

盡管在文獻中可以看到一些其他類型的場效應晶體管，但是這些類型通常是特定技術的商品名，并且它們是上面列出的一些FET類型的變體。

MOSFET規格

除了為任何給定電路選擇特定類型的MOSFET之外，還必須了解不同的規范。通過這種方式，可以確保MOSFET將工作到所需的性能參數。

MOSFET規范包括從允許的最大電壓和電流到電容水平和跨導的所有內容。這些都在確定任何特定MOSFET是否適合給定電路或應用中起作用。

場效應晶體管技術可以用于雙極晶體管不適合的許多領域：每種都有其自身的優點和缺點，并且可以在許多電路中用于很好的效果。場效應晶體管具有非常高的輸入阻抗，并且是電壓驅動器件，這使其可以在許多領域中使用。

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