場效應(yīng)管極性判別解析

場效應(yīng)管（FET）

以其高輸入電阻、低噪、熱穩(wěn)定、便于集成的優(yōu)點在電子電路以及大電流、大電壓電路中應(yīng)用十分普遍；正確使用、判別場效應(yīng)管的管腳、極性十分必要；

同三極管一樣，要熟練判別場效應(yīng)管的管腳、極性必須先了解一下其結(jié)構(gòu)、原理；

場效應(yīng)管的管腳有

柵極G、漏極D、源極S

三個電極（雙柵極管具有四個電極）；

場效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)分

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS）

，絕緣柵場效應(yīng)管又分

增強型和耗盡型

；結(jié)型場效應(yīng)管的

“結(jié)”

指的是

pn結(jié)

，絕緣柵場效應(yīng)管的

絕緣柵

指的是柵極與源極、漏極之間有一層sio2絕緣層，它們之間沒有導通連接關(guān)系。

按導電溝道性質(zhì)，結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管又分

電子型（n）溝道、空穴型（p）溝道，

這是場效應(yīng)管導電的通道；

場效應(yīng)管屬于

單極性晶體管

，三極管屬于

雙極性晶體管

，也即前者僅僅由一種載流子導電，后者是由兩種載流子導電；

場效應(yīng)管屬于

壓控型晶體管

，通過柵極與源極之間的電壓的變化，來改變溝道的導電能力；三極管屬于

電流控制型晶體管

，通過電流的變化改變集電極電流大小。

結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)、符號圖

從結(jié)構(gòu)上可以看出結(jié)型場效應(yīng)管有以下特點：

1.漏極D和源極S之間的半導體類型是相同的，也即同是p型或n型半導體，它們之間的正反向電阻是相等的，并且阻值比較小；

2.柵極G連接半導體類型與漏極D、源極S連接的半導體類型總是不同的；

3.柵極G與漏極、源極之間有pn結(jié)，pn結(jié)的正向電阻小，反向電阻大；

結(jié)型場效應(yīng)管工作原理：在柵極與源極上加上反向電壓后，pn結(jié)厚度會發(fā)生變化，從而改變了導電溝道的導電能力；

絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)：

增強型絕緣柵場效應(yīng)管

耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管

絕緣柵場效應(yīng)管中的寄生二極管

增強型MOS管從結(jié)構(gòu)上看

1.柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣，它們之間的電阻無限大；

2.沒有外加電壓時漏極與源極之間不導通；

增強型NMOS管是以P型硅片作為基片（又稱襯底），漏極連接的為N半導體，襯底與源極連在一起，故P型襯底與漏極N型半導體會形成二極管，稱為寄生二極管；因此漏極和源極之間的反向電阻很小。

增強型MOS管工作原理：在柵極與源極之間加上正向電壓后，達到一定值后就會形成導電溝道，改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力；

耗盡型MOS管從結(jié)構(gòu)上看

1.柵極與漏極、源極絕緣，它們之間的電阻無限大；

2.漏極與源極之間能夠?qū)ǎ瑴系涝谥圃鞎r就已形成；

在柵極與源極之間加上反向向電壓后，改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力；

檢測方法

一、結(jié)型場效應(yīng)管

結(jié)型場效應(yīng)管的漏極和源極在制造工藝上是對稱的，故兩極可以互換，不影響正常工作；只需要判別柵極和溝道類型

將萬用表撥至R×100Ω檔，測量場效應(yīng)管任意兩個極之間的電阻，正反各一次，有以下幾種情況

1.若兩次測的的阻值相同或相近，則這兩極是漏極D、源極S，剩下的就是柵極；然后紅筆不動，黑筆接觸柵極，若阻值較大則測得的為pn節(jié)反向電阻，黑筆接的是n，紅筆接的是p，所以該管子為p溝道,反之就是n溝道；

2.若兩次測得的是一大一小，表明其中一個就是柵極，另一個就是漏極或源極。以阻值小的那一次為準，紅筆不動，黑筆接另一個極，如果阻值小，并且與黑筆換極前測得的阻值相等或相近，則紅筆接的是柵極，且該管子為p溝道；如果測得的阻值與黑筆換極前測得的阻值有較大差距，則黑筆換極前接的是柵極，該管子為n溝道場效應(yīng)管；

或者直接任意測量兩極之間的正反向電阻，遇到第一種情況，即可判別柵極，這種比較簡單。

有興趣的朋友可以試測一下3DJ6結(jié)型場效應(yīng)管，該管子為電子型導電溝道；

3DJ6結(jié)型場效應(yīng)管

二、絕緣柵場效應(yīng)管

NMOS增強型管

1.電極檢測

正常的增強型NMOS管的柵極與漏極、源極之間均無法導通，它們的正反向電阻均無窮大，在G極無電壓時，DS之間無溝道形成，但由于漏極源極之間存在一個反向寄生二極管，故漏極源極之間的反向電阻較小；

選擇R×1kΩ，測量各腳之間的正反向電阻；

當出現(xiàn)一次阻值較小時，紅筆接的是漏極，黑筆接的是源極，余下的引腳就是柵極

NMOS耗盡型管

基本過程同上，源極、漏極能夠?qū)ǎ捎诜聪蚣纳O管的存在，兩次的電阻是有差異的。

有興趣的朋友可以測試一下2N60C絕緣柵場效應(yīng)管，該管子為增強型，電子型溝道。

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