場效應(yīng)管及三極管的區(qū)分

1.場效應(yīng)管和三極管輸入電阻的差異。

2.場效應(yīng)管是單極三極管是雙極區(qū)別之外。

3.解決問題方面： 場效應(yīng)管是電壓控制電流源，控制電壓和電流屬于不同的支路，因而電壓的求解一般不難（有時是與受控電流有關(guān)的表達(dá)式，課本129頁3－6），進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來求出電流值，然后進(jìn)行模型分析，求出跨導(dǎo)和輸出電阻。 而三極管要先建立模型，然后進(jìn)行電路分析，求解過程特別是計算很復(fù)雜，容易出錯； 總體而言，我覺得場效應(yīng)管的分析要比三極管簡單一些。

4.極管和場效應(yīng)管的比較可以歸納以下幾點： 一、在三極管中，空穴和自由電子都參與導(dǎo)電，稱為雙極型器件，用BJT表示；而場效應(yīng)管只有多子導(dǎo)電，稱為單極型器件，用FET表示。由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響，在環(huán)境變化劇烈的條件下，選用FET比較合適。 這也就是我們通常所說的場效應(yīng)管比較穩(wěn)定的原因。 二、在放大狀態(tài)工作時，三極管發(fā)射結(jié)正偏，有基極電流，為電流控制器件，相應(yīng)的輸入電阻較小，約103Ω；FET在放大狀態(tài)工作時無柵極電流，為電壓控制器件，輸入電阻很大，JFET的輸入電阻大于107Ω，MOS管的輸入電阻大于109Ω。 三、場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上對稱，可以互換使用(但應(yīng)注意，有時廠家已將MOS管的源極與襯底在管內(nèi)已經(jīng)短接，使用時就不能互換)。對耗盡型MOS管的VGS可正、可負(fù)、可為零，使用時比較靈活。三極管的集電極和發(fā)射極一般不能互換使用。 四、在低電壓小電流狀態(tài)下工作時，F(xiàn)ET可作為壓控可變線性電阻器和導(dǎo)通電阻很小的無觸點電子開關(guān)。 五、MOS管工藝簡單，功耗小，適合于大規(guī)模集成。三極管的增益高，非線性失真小，性能穩(wěn)定。在分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路中，三極管仍占優(yōu)勢。 六、三極管的轉(zhuǎn)移特性(ic-vbe的關(guān)系)按指數(shù)規(guī)律變化，場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化，因此場效應(yīng)管的非線性失真比三極管的非線性失真大。七、場效應(yīng)管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極管的共發(fā)、共集和共基電路，由于場效應(yīng)管的柵極無電流，所以輸入電阻R'i≈∞。跨導(dǎo)gm比三極管的小一個數(shù)量級，gm我們可以用轉(zhuǎn)移特性求導(dǎo)得到

5.三極管可以說是電流控制電流源的器件，而電流是通過輸入電阻的大小來體現(xiàn)的；但場效應(yīng)管是電壓控制電流源的器件

6.記住四種mos管的特性曲線的方法：只需記住n溝道的emos管的曲線，它的Ｖgs是大于０的，且曲線呈遞增趨勢．而p溝道的emos的Ｖgs是小于０的，且呈現(xiàn)遞減趨勢．dmos的Ｖgs既有大于０的部分，又有小于０的部分，按照n溝道遞增，p溝道遞減的曲線特征就可以將dmos的特性曲線記住了

7.1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而三級管是電流控制元件； 

2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱為單極性器件，而三級管既有多子，也有少子導(dǎo)電，稱之為雙極性器件； 

3）場效應(yīng)管靈活性比三級管好； 

4）場效應(yīng)管的制造工藝更適合于集成電路。

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