場效應管的分類

場效應管可分為兩類：一類足結型場效應管，另一類是絕緣柵型場效應管，也稱MOS管。結型場效應管依據其溝道所采用的半導體資料，又分為N溝道和P溝道兩種；絕緣柵型場效應管除有N溝道和P溝道之格外，還有加強型與耗盡型之分。如圖所示。

1．結型場效應管（簡稱JFET）

N溝道結型場效應管的基體是一塊N型硅資料。從基體引出兩個電極分別叫源極（s）和漏極（D）。在基體兩邊各附一小片P型資料，其引出的電極叫柵極（G）。這樣，在溝道和柵極之間構成廠兩個PN結，當柵極開路時，溝道就相當于一個電阻，不同型號的管子其阻值相同，普通大約為數百歐到千歐。圖所示為結型場效應管的構造與符號。

2．絕緣柵型場效應管（簡稱MOSFET）

依據絕緣層所用資料之不同，絕緣柵型場效應管有多品種型，目前應用最普遍的一種是以二氧化硅（Si02）為絕緣層的金屬—氧化物—半導體（Metal-Oxide-Semiconductor）場效應管，簡稱MOS場效應管（MOSFET）。

絕緣柵型場效應管分為加強型與耗盡型，每一類又有N溝道、P溝道之分。

絕緣柵型場效應管的特性是輸人電阻高，便于做成集成電路。在一塊N型硅片上有兩個相距很近濃度很高的P擴散區，分別為源極和漏極。在源區與漏區之間的硅片上，有一層絕緣二氧化硅，絕緣層上掩蓋著金屬鋁，這就是柵極。柵極和其他電極之間是絕緣的，所以稱為絕緣柵型場效應管。由于源、柵之間有一層氧化層，這種管子根本上沒有柵極電流，因而輸入阻抗十分高。圖所示為絕緣柵型場效應管的構造與場效應管符號。

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