場效應管的特點詳解

場效應管的使用注意事項

使用氖氣輝光燈泡時應注意以下事項:

①使用氖氣輝光燈泡時必須串接限流電阻。限流電阻的阻值可由下式確定:

②電源電壓應高于氛燈最大啟輝電壓25% 。

③應用交流電壓的氛燈也可以用于直流電路，這時氖燈的啟輝電壓應增加1 .4倍。

④氖燈電極若為非對稱結構，則面積大的電極為負極，面積小的電極為正極。對稱性電極不分正負，當發光時，只有一個電極發光。

⑤亮度與使用壽命有關。當選擇的限流電阻值較小時，氛燈啟輝亮度增加，但壽命下降;反之，則亮度暗一些，但會使壽命有所增加。

場效應管特點

1.場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流,應此對于信號源額定電流極小的情況下，常選用場效應管。

2.場效應管是多子導電,晶體管是兩種載流子參與導電。但少子受環境影響明顯。

3.場效應管FET和晶體管BJT一樣具有放大作用，而且這兩種放大元件間存在著電極對應關系G-b，S-e，D-c。因此根據BJT電路，即可得到與之對應的FET放大電路。但不能簡單地加以替換，否則有時電路不能正常工作。場效應除作放大器件及可控開關外還可作壓控可變線性電阻使用。

4.場效應管S極和D極是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管柵源電壓可正可負使用比晶體三極管靈活。

5.場效應管組成放大電路時與晶體管一樣，必須選擇合適的靜態工作點，柵極必須有合適的偏壓，但不出現偏流，對不同類型場效應管對偏壓的極性要求不同，特列如下：

注：JFET表示結型場效應管，DMOS表示耗盡型場效應管；EMOS表示增強型場效應管。

自給偏壓電路

如圖，為自給偏壓電路。電容對Rs起旁路作用——源極旁路電容。

自給偏壓電路

注：增強型場效應管（MOSFET）只有G—S間電壓先達到某個開啟電壓VT時才有ID，所以自偏壓不適用于增強型MOSFET。

分析：當Is流過Rs時產生Vs壓降對地是負值。所以，VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS

問題是：VGS決定于ID而ID又隨VGS變化而變化，如何能確定ID、VGS之值呢？下面內容介紹兩種解法。

圖解法

步驟：

（1）作直流負載線（從輸出回手）

直流負載線于輸出特性曲線的不同VGS的交點，即管子內部方程與輸出回路方程的聯立解，表明電路中ID，VDS，VGS的數值必在這些交點上。

(2)利用直流負載線上的點作轉移特性曲線。

（3）定靜態工作點Q（從G極回路入手）因Q還應滿足輸入回路，所以作輸入回路的直流負載線VGS=-IDRS，如圖。

（4）代入數據，得Q：VGS，VDS，ID

計算法

計算法采用下列公式求解:

式子的IDSS稱為飽和電流，即為VGS=0時ID的值；VP稱為夾斷電壓，當VGS=VP時，漏極電流ID為0。

讓我們來看一個例子,電路如圖.

已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述兩個公式得：

求解此兩方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA

因為-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合題意，舍去，故靜態漏極電流IDQ為

IDQ=0.30mA；

靜態管壓降VGSQ、VDSQ分別為

各種場效應管特性比較

場效應管特點:

具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、熱穩定性好等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.

作用:

場效應管可應用于放大.由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器

場效應管可以用作電子開關.

場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源.

壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試，應用各大領域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹