場效應管的簡單接法

 舉例說明，自己畫了一個通俗、簡單的場效應管驅動LED的電路圖，左圖為N溝道場效應管（型號IRF630），右圖為P溝道場效應管（型號IRF9640），電源電壓12V，具體到你這個電路中，圖中電阻等元件可以根據實際電路更換相關阻值，從圖中你可以初步了解場效應管做開關電路的接法。下面簡要說明。

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場效應管，英文縮寫MOSFET，一般有3個管腳。依內部PN結方向的不同，MOSFET分為N溝道型（上圖）和P溝道型（下圖），如下面圖所示，一般使用N溝道型可帶來便捷性。

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N溝道MOSFET管用法】：（柵極G高電平D與S 間導通，柵極G低電平D與S間 截止，P溝道與之相反）

柵極/基極(G)接控制信號，

源極(S)接負載電源負極（模擬地），漏極(D)接負載輸出負極，負載輸入正極直接接負載電源正極。

當柵極/基極(G)電壓大于MOSFET管開啟電壓（通常為1.2V），源極(S)到漏極(D)導通，導通電流很小，可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載負極被連通負載電源負極，負載工作。當柵極/基極(G)電壓小于MOSFET管開啟電壓時，源極(S)到漏極(D)電阻極大，可以認為源極(S)到漏極(D)斷路，則負載負極被負載電源正極拉高，負載不工作。（這里只用最易理解的語言說說用法，事實上MOSFET的開啟和關閉取決于柵極/基極(G)和源極(S)之間的正壓差）

這樣，我們只要控制MOSFET的柵極/基極(G)電壓有無，即可控制負載的工作與不工作，形成一個開關效應。MOSFET管的開關時間非常快，一般在納秒極，你就認為是瞬間開啟/關閉就可以了，在MOSFET管內部是沒有延遲的。

由于MOSFET管的快速開關特性，使用高頻PWM方波信號對其柵極/基極(G)進行控制，可以在輸出端獲得超高速切換的平均電壓，這個平均電壓取決于PWM波的占空比。這就是UBEC或者電調等模型設備的降壓和調速原理。這種高頻開關降壓方法幾乎沒有能量損失，效率一般在95%以上。 

【P溝道MOSFET管用法】：】：（柵極G高電平D與S 間截止，柵極G低電平D與S間 導通）

柵極/基極(G)接控制信號，源極(S)接負載電源正極，漏極(D)接負載輸入正極，負載輸出負極直接接負載電源負極（模擬地）。

當柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓（負載電源電壓）1.2V以上時，源極(S)到漏極(D)導通，導通電流很小，可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載正極被連通負載電源正極，負載工作。當柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓（負載電源電壓）不足1.2V，或柵極/基極(G)電壓大于等于源極(S)電壓時，源極(S)到漏極(D)電阻極大，可以認為源極(S)到漏極(D)斷路，則負載不工作。

MOSFET場效應管做為快速開關元件的用法就簡單說到這里，復雜理論咱不說它，知道怎么用就行了。如果僅僅是做為電子開關使用，也可以簡單用三極管代替MOSFET管，只不過三極管的效率、開關速度、開關可靠性遠不如MOSFET管。

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