保護(hù)可控硅的幾種方法的詳情介紹

SCR是在行業(yè)進(jìn)入生產(chǎn)是很常見(jiàn)的，這是比較容易損壞，由于各種原因。可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。工業(yè)級(jí)固態(tài)繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋模塊將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。我在這里談幾個(gè)方面的保護(hù)晶閘管：

過(guò)電壓的保護(hù)

可控硅對(duì)電壓范圍具有十分的敏感，當(dāng)正向發(fā)展影響工作電壓不能超過(guò)其短態(tài)重復(fù)出現(xiàn)峰值電壓UDRM一定的數(shù)值時(shí)可控硅就會(huì)直接導(dǎo)致企業(yè)發(fā)生情況嚴(yán)重誤導(dǎo)通，從而我們可以通過(guò)引發(fā)電路設(shè)計(jì)進(jìn)行分析故障；而當(dāng)反向電壓是否已經(jīng)超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓UDRM一定的數(shù)值時(shí)，可控硅就會(huì)發(fā)現(xiàn)學(xué)生立即損壞。

主要是由于過(guò)電壓能量存儲(chǔ)系統(tǒng)或提供給一個(gè)快速變化的電功率產(chǎn)生，從而使系統(tǒng)時(shí)間轉(zhuǎn)換，在系統(tǒng)中，或者由于時(shí)間電磁能量耗散累積。兩種類(lèi)型的斷浪涌電壓和所述主開(kāi)關(guān)通過(guò)由其他外部沖擊雷電過(guò)電壓發(fā)現(xiàn)引起。由閃電或其它高壓斷路器的過(guò)電壓產(chǎn)生幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，晶閘管這是非常危險(xiǎn)的。所以要注意慎用。

過(guò)電流的保護(hù)

由于目前我國(guó)半導(dǎo)體材料進(jìn)行具有體積小、熱容量低的特點(diǎn)，所以像可控硅這類(lèi)高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須要全面發(fā)展過(guò)程中收到一個(gè)沒(méi)有嚴(yán)格的控制，不然則會(huì)產(chǎn)生影響因素造成中小企業(yè)管理設(shè)備技術(shù)主要通過(guò)器件的徹底損壞。如果可控硅中的電流密度大于指定工作電流值時(shí)，其中的熱量來(lái)不及揮發(fā)，使得我們中國(guó)氣溫不斷升高，從而提高可以直接破壞器件。

快速熔斷器常用于SCR過(guò)電流保護(hù)。 由于普通熔斷器的熔斷器特性動(dòng)作太慢，在熔斷器未熔斷之前，SCR已經(jīng)燒壞；因此，不能用于保護(hù)SCR。 快速熔斷器通過(guò)銀熔絲嵌入石英砂中，可用于保護(hù)SCR。

這就是你保護(hù) scr 的方法，你學(xué)會(huì)了嗎？

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