AUIRF3205Z場(chǎng)效應(yīng)管 中文資料 數(shù)據(jù)手冊(cè) 數(shù)據(jù)表(PDF)

說明 

專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，這款功率mosfet利用最新的處理技術(shù)來實(shí)現(xiàn)極低 的電阻每個(gè)硅面積。該設(shè)計(jì)的其他特點(diǎn)是175°C的結(jié)工作溫度，快速切換速度 和改進(jìn)

的重復(fù)雪崩等級(jí)。這些特性的結(jié)合，使該設(shè)計(jì)成為一個(gè)極其高效和可靠 的設(shè)備，用于汽車應(yīng)用和各種其他應(yīng)用。

絕對(duì)最大等級(jí) 

超出“絕對(duì)最大等級(jí)”所列出的壓力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞。這些僅為應(yīng)力等級(jí)；不暗示設(shè)備在上述或任何其他條件下的功能

操作。長時(shí)間暴露于絕對(duì)最大額定條件下可能會(huì)影響設(shè)備的可靠性。熱阻和功耗等級(jí)在板安裝和靜止空氣條件下測(cè)量。環(huán)境溫度(TA) 為25°C，除非另有規(guī)定。

注：

重復(fù)性額定值；脈沖寬度受最大值的限制。連接點(diǎn)的溫度。（詳見下圖所示。11)

有限公司由T提供J最大x 啟動(dòng)TJ =25°C，L=0.08mH，RG =25 ，I作為 =66A，Vgs值 =10V.零部件不建議在此值以上使用。

脈沖寬度 1.0ms；占空比 2%。

C無的 等等。固定電容是提供與C相同的充電時(shí)間嗎無的 而V型的國防部 是從0V上升到80%V嗎數(shù)據(jù)系統(tǒng).

有限公司由T提供J最大值 ，詳見下圖。12a、12b、15、16，用于典型的重復(fù)性雪崩性能。

此值從樣本失敗填充中確定，開始TJ =25°C，L=0.08mH，RG =25 ，I作為 =66A，Vgs值 =10V.

這僅適用于TO-220AB軟件包。

這是適用于D2 Pak，安裝在1英寸方形印制電路板上（FR-4或G-10材料）。有關(guān)推薦的足跡和焊接技術(shù)，請(qǐng)參見應(yīng)用說明#AN-994 R 是在T處測(cè)量的J 約為90°C

關(guān)于重復(fù)性雪崩曲線的注釋，圖15、16：

1. 雪崩故障的假設(shè)：

在溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過Tjmax時(shí)，顯然會(huì)出現(xiàn)熱現(xiàn)象和失效。這將對(duì)每個(gè)零件類 型進(jìn)行驗(yàn)證。

2. 只要不超過Tjmax，就允許雪崩中安全運(yùn)行。

3. 以下公式基于圖12a、12b所示的電路和波形。

4. PD(ave)=每單個(gè)雪崩脈沖的平均功耗。

5. BV=額定擊穿電壓（1.3因素解釋雪崩期間的電壓增加）。

6. Iav=允許的雪崩電流。

7. T=連接溫度的允許升高，不超過Tjmax（在圖14、15中假設(shè)為25°C）。

tav=在雪崩中的平均時(shí)間。 

D=在雪崩中的占空比=tav·f 

ZthJC（D、tav）=瞬態(tài)熱阻，見圖13）

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