3N65場效應管參數資料,3N65參數手冊PDF下載

3N65系列場效應管TO-252封裝引腳圖：

壹芯微供應3N65系列的場效應管型號如下（尾綴不同，參數一致，主要區分材質、封裝與包裝方式）

3N65L-TA3-T 3N65G-TA3-T 封裝形式TO-220

3N65L-TF1-T 3N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F1

3N65L-TF3-T 3N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F

3N65L-TM3-T 3N65G-TM3-T 封裝形式TO-251

3N65L-TMS-T 3N65G-TMS-T 封裝形式TO-251S

3N65L-TMS2-T 3N65G-TMS2-T 封裝形式TO-251S2

3N65L-TMS4-T 3N65G-TMS4-T 封裝形式TO-251S4

3N65L-TN3-R 3N65G-TN3-R 封裝形式TO-252

3N65L-T60-K 3N65G-T60-K 封裝形式TO-126

3N65L-K08-5060-R 3N65G-K08-5060-R DFN5060-8

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3N65系列特性參數如下：

* RDS(ON)<3.8Ω @ VGS=10V，ID=1.5A

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進的dv/dt能力，高耐用性

3N65系列絕對最大額定參數如下：（TC=25°C，除非另有說明）

極性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流連續,I_D：3.0A

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：75W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,P_D：34W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4,P_D：50W

PowerDissipation功耗,TO-126,P_D：17W

PowerDissipation功耗,DFN5060-8,P_D：25W

Junction Temperature結溫,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和儲存溫度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微3N65規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

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