2N65L-TN3-T TO252 N溝道 高壓650V 2A - 場效應MOS管 - 壹芯微

2N65L-TN3-T場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：650V；電流(ID)：2A；封裝(Pageke)：TO-252；

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漏源電壓 V_DSS 650 V

柵源電壓 V_GSS ±30 V

雪崩電流(注 2) I_AR 2.0 A

漏極電流連續 I_D 2.0 A

脈沖漏極電流(注 2)I_DM 8.0 A

雪崩能量單脈沖(注 3) E_AS 140 mJ

雪崩能量重復(注 2) E_AR 4.5 mJ

峰值二極管恢復 dv/dt (注 4) dv/dt 4.5 V/ns

功耗 TO-220 P_D 54 W

功耗 TO-220F/TO-220F1 P_D 23 W

功耗 TO-251/TO-251L/TO-252/TO-252D P_D 44 W

結溫 T_J +150 °С

工作溫度 T_OPR -55 ~ +150 °С

儲存溫度 T_STG -55 ~ +150 °С

注意： 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2. 重復評級：脈沖寬度受 TJ 限制

3. L=64mH, I_AS=2.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω, 起始 T_J=25°C

4. I_SD≤2.4A，di/dt≤200A/μs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25°C

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