12N10場效應管參數_12N10(MOS管)參數代換_生產廠家

12N10場效應管參數及代換,12N10封裝引腳圖,12N10中文資料規格書PDF

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12N10場效應管參數如下：

極性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：100V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±20V

DrainCurrentContinuous漏極電流連續,TC+25°C,I_D：12A

DrainCurrentContinuous漏極電流連續,TC+100°C,I_D：8.5A

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：73W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,P_D：30W

PowerDissipation功耗,SOP-8 ,P_D：5W

Junction Temperature結溫,T_J：+150°C

StorageTemperature工作和儲存溫度,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微供應UT50N03系列型號如下（封裝尾綴不同，主要參數一致）

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