12N10場效應管參數中文資料 選型替代 MOS管生產廠家 - 壹芯微

12N10場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：100V；電流(ID)：12A；封裝(Pageke)：TO-252；

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絕對最大額定參數

漏源電壓 (V_GS=0) V_DSS：100 V

柵源電壓 V_GSS：±20 V

漏極電流連續 T_C=25°C I_D：12 A

漏極電流連續 T_C=100°C I_D：8.5 A

脈沖漏極電流(注 2)I_DM：48 A

功耗 TO-220 P_D：73 W

功耗 SOP-8 P_D：5 W

雪崩能量(注 3) E_AS：100 mJ

結溫 T_J：+150 °C

儲存溫度 T_STG：-55~+150 °C

注意： 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2.脈沖寬度受安全工作區限制

3. 啟動 T_J=25°C，I_D=12A，V_DD=50V

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產與銷售，至今已有20年半導體行業研發、制造經驗。目前壹芯微產品已經在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網在線客服。