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        [常見問題解答]MOS管選型指南:如何匹配電路需求與性能參數[ 2025-02-26 10:42 ]
        在電子電路設計中,MOS管(場效應晶體管)廣泛應用于電源管理、功率轉換和信號控制等領域。合理選型不僅能提升電路性能,還可增強系統的穩定性和效率。然而,MOS管參數眾多,不同應用場景對其電氣特性、散熱能力和開關速度等方面有不同要求,因此在選型時需綜合考慮各種因素,以確保器件與電路需求匹配。1. 選擇合適的溝道類型MOS管根據溝道類型可分為NMOS和PMOS兩類,它們在應用上存在明顯的區別:- NMOS:當柵極電壓高于源極電壓(Vgs > Vth)時導通,適用于低壓側開關和高效功率轉換電路,具有較低的導通電阻和較
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        [常見問題解答]MOS管參數場效應管參數規格書怎么看[ 2024-03-11 18:03 ]
        MOS管參數場效應管參數規格書怎么看描述:MOSFET的最大允許電壓。參數:額定電壓 - VR (Voltage Rating)描述:MOSFET在正常工作條件下能夠承受的最大電流。參數:額定電流 - IR (Current Rating)描述:MOSFET在導通狀態下,源極和漏極之間的電阻值。導通電阻的大小直接影響MOSFET的功耗和發熱。參數:導通電阻 - RON (On-Resistance)描述:MOSFET的開關轉換時間,包括開啟時間和關閉時間。開關速度對于高頻應用至關重要。參數:開關速度 - TON,
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        [常見問題解答]MOS管參數詳解[ 2022-12-26 16:03 ]
        我們打開一個 MOS 管的 SPEC,會有很多電氣參數,今天說一說熱阻、電容和開關時間這三個。熱阻,英文 Thermal resistance,指的是當有熱量在物體上傳輸時,在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值,單位是℃/W 或者是 K/W。半導體散熱的三個途徑,封裝頂部到空氣,封裝底部到電路板,封裝引腳到電路板。結到空氣環境的熱阻用 ThetaJA 表示,ThetaJA = (Tj-Ta)/P其中Tj為芯片結溫,Ta為芯片環境溫度,如下圖所示。還有一些其他的熱阻參數如下:ThetaJC=(Tj-Tc)/P,結到
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        [行業資訊]4N65G-TN3-T場效應MOS管參數 報價 原廠直銷 免費樣品 - 壹芯微[ 2021-09-23 11:43 ]
        4N65G-TN3-T場效應MOS管參數 報價 原廠直銷 免費樣品 - 壹芯微型號:4N65G-TN3-T 極性:N溝道;電壓:650V 電流:4A;封裝:TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷4N65G-TN3-T參數中文資料,4N65G-TN3-T封裝管腳引腳圖,4N65G-TN3-T規格書:查看下載4N65G-TN3-T的概述:4N65-E是一款高壓功率MOSFET,其設計具有更好的特性,例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 這種功率MOSFET通常用于高速開關應用,包括
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        [行業資訊]CEU6042 TO252場效應MOS管參數規格書 選型替換 - 壹芯微[ 2021-09-15 11:48 ]
        CEU6042 TO252場效應MOS管參數規格書 選型替換 - 壹芯微CEU6042場效應管主要參數 極性:N溝道;電壓(VDSS):60V;電流(ID):90A;封裝(Pageke):TO-252;大芯片,高品質,原廠批量直銷,提供技術支持,免費送樣測試,替代原裝進口品牌型號CEU6042特性60V,90A,Ros(on)=5m2@Ves=10V。用于極低Ros(oN)的超高密度電池設計高功率和電流處理能力。無鉛電鍍;符合RoHS。TO-251和TO-252封裝。CEU6042絕對最大額定參數漏源電壓 VDS
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        [行業資訊]ATP404 TO252場效應MOS管參數規格書 選型替換 - 壹芯微[ 2021-09-14 09:50 ]
        ATP404 TO252場效應MOS管參數規格書 選型替換 - 壹芯微ATP404場效應管主要參數 極性:N溝道;電壓(VDSS):60V;電流(ID):95A;封裝(Pageke):TO-252;大芯片,高品質,原廠批量直銷,提供技術支持,免費送樣測試,替代原裝進口品牌型號漏源電壓 VDSS 60 V柵源電壓 VGSS ±20 V漏極電流 (DC) ID 95 A漏極電流(脈沖)IDP PW≤10μs,占空比≤1% 380 A允許功耗 PD Tc=25°C 70 W通道溫度 Tc
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        [常見問題解答]5N60場效應MOS管參數5A/600V,DC-DC電源轉換器適用[ 2021-08-24 14:39 ]
        5N60是一款N溝道增強型高壓功率MOS管,具有600V高壓,可適用在DC-DC電源轉換器上,目前DC-DC轉換器廣泛應用于手機、MP3、數碼相機、便攜式媒體播放器等產品中。
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        [行業資訊]AO3402,SOT23場效應MOS管參數封裝報價中文資料DF 現貨廠家[ 2021-08-23 12:07 ]
        型號:AO3402;極性:N溝道;ID/VDSS:4A/30V;封裝:SOT-23AO3402使用先進的溝槽技術提供出色的Rds(ON)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適合用作負載開關或PWM應用。
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        [常見問題解答]功率MOS管參數-Vdss的溫度特性詳情解析[ 2020-12-09 16:54 ]
        功率MOS管參數-Vdss的溫度特性詳情解析功率MOS管參數-Vdss溫度特性分析由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加,即呈現正溫度系數呢?這是半導體硅材料的特性所決定的!MOS管是單子導電機理!載流子只有電子,溫度升高,溝道電阻增加,電子遷移減少,電流變小!故耐壓會增加!MOS管是單子導電機理!載流子只有電子,溝道夾斷,電子無法通過溝道導通,單外延層中低參雜PN結中的電子遷移很小,溫度升高,這種飄移電流變小!故其反向截止的損耗減小,雪崩能量增加,耐壓
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        [常見問題解答]如何理解場效應管參數-怎么解讀MOS管參數[ 2020-07-02 17:39 ]
        如何理解場效應管參數-怎么解讀MOS管參數答:場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已
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        [常見問題解答]mos管參數大全-mos管功率各種參數意思[ 2019-09-10 16:15 ]
        mos管功率各種參數大全mos管基本參數向傳輸電容 Crss = CGD .Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD .Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).Tf :下降時刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時刻.Td(off) :關斷延遲時刻.輸入電壓下降到 90%開端到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時刻.Tr :上升時刻.輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時刻.Td(on):導通延遲時刻.從有輸入電壓上升到 10%
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        [常見問題解答]常用n溝道mos管參數選型號大全[ 2019-06-17 11:47 ]
        壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,常用n溝道mos管參數選型號大全,請看下方N溝道MOS管型號型號8205ANMOS5A電流20V電壓0.025內阻封裝TSSOP-8型號6968ENMOS6.5A20V電壓0.024內阻封裝TSSOP-8型號8810ANMOS7A電流20V電壓0.024內阻封裝TSS
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        [常見問題解答]P溝道MOS管參數-型號與工作原理[ 2019-06-10 16:38 ]
        壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,P溝道MOS管參數-型號與工作原理,請看下方① 開啟電壓VGS(th) (或VT)開啟電壓是MOS增強型管的參數,柵源電壓小于開啟電壓的絕對值,場效應管不能導通② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)夾斷電壓是耗盡型FET的參數,當VGS=VGS(off) 時,漏極電
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        [常見問題解答]P溝道MOS管參數大全-P溝道MOS管知識與導通條件[ 2019-06-06 14:13 ]
        壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,P溝道MOS管參數大全-P溝道MOS管知識與導通條件,請看下方金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類,P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時,柵極下的N型
        http://www.kannic.com/Article/pgdmosgcsd_1.html3星
        [常見問題解答]低開啟電壓MOS管型號-低壓內阻MOS管參數資料[ 2019-06-05 10:47 ]
        壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,低開啟電壓MOS管型號-低壓內阻MOS管參數資料,請看下方對于一個電子產品,總功耗為該產品正常工作時的電壓與電流的乘積,這就是低功耗設計的需要注意事項之一。為了降低產品的功耗,在電子產品開發時盡量采用低開啟電壓MOS管的產品。比如一個產品,曾經用5v單片機正常工作,后
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        [常見問題解答]MOS管參數選型基礎要點[ 2019-04-22 19:14 ]
        壹芯微作為國內專業生產MOS管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分析一些知識或者客戶的一些問題,來出來分享,MOS管參數選型基礎要點,請看下方MOS管有兩大類型:N 溝道和 P 溝道。在功率系統中,MOS管可被看成電氣開關。當在 N 溝道MOS管的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,稱為導通電阻 RDS(ON)。必
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